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    Investigation on Tunneling-based Ternary CMOS with Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Using TCAD Simulation
    Park, Byung-Gook ; Kim, Sihyun ; et al.
    In: Applied Sciences, 2020-07-20
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    Atomic Layer Deposition (ALD) of Metal Gates for CMOS
    Zhao, Chao ; Xiang, Jinjuan
    In: Applied Sciences, Jg. 9 (2019-06-01), Heft 11
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    Homodyne Spectroscopy with Broadband Terahertz Power Detector Based on 90-nm Silicon CMOS Transistor
    But, Dmytro B. ; Ikamas, Kestutis ; et al.
    2021
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    High-voltage active quenching and resetting circuit for SPADs in 0.35 μm CMOS for raising the photon detection probability
    Dervic, Alija ; Steindl, Bernhard ; et al.
    In: Optical Engineering, Jg. 58 (2019-04-10), S. 1-1
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    A Survey on Nano-Scale Double Gate CMOS Transistor
    Gupta, Traun K. ; Khare, Kavita ; et al.
    In: Advanced Science Letters, Jg. 21 (2015-09-01), S. 2830-2832
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    CMOS integration of high-k/metal gate transistors in diffusion and gate replacement (D&GR) scheme for dynamic random access memory peripheral circuits
    Ercken, M. ; Thiam, A. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FB08
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    Micro FET pressure sensor manufactured using CMOS-MEMS technique
    Tai, Yao-Wei ; Kao, Pin-Hsu ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 39 (2008-05-01), S. 744-749
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    25–34 GHz Single-Pole, Double-Throw CMOS Switches for a Ka-Band Phased-Array Transceiver
    Lee, Jeong-Yun ; Lee, Jong-Yeon ; et al.
    In: Applied Sciences, Jg. 8 (2018-01-29), S. 196-196
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    Top-down fabrication of fully CMOS-compatible silicon nanowire arrays and their integration into CMOS Inverters on plastic
    Moon, Taeho ; Jeon, Youngin ; et al.
    In: ACS nano, Jg. 5 (2011-03-02), Heft 4
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    CMOS pulse-width-modulation readout circuit with a wide modulation range for ion-sensitive FET-based sensors
    Yu, Chi ; Wang, Ruey-Lue ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 54 (2015-03-11), S. 04DL02
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    Improvement of Thermal Stability of Nickel Silicide Using Co-Sputtering of Ni and Ti on Boron Cluster Implanted Ultra-Shallow Junction for Nanoscale CMOS Technology
    Li, Meng ; Hi Deok Lee ; et al.
    In: Advanced Materials Research, Jg. 699 (2013-05-01), S. 817-821
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    Deep Submicron CMOS Technology Using Top-Edge Round STI and Dual Gate Oxide for Low Power 256 M-Bit Mobile DRAM
    Hyeong Joon Kim ; Jo, Namhyuk ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-04-30), S. 1892-1896
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    Stable Extraction of Threshold Voltage Using Transconductance Change Method for CMOS Modeling, Simulation and Characterization
    Byung Yong Choi ; Park, Byung-Gook ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-04-01), S. 1759-1759
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    Scattering-limited and ballistic transport in a nano-CMOS circuit
    Arora, Vijay K. ; Ismail, Razali ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 40 (2009-03-01), S. 581-583
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    Evaluation of 0.3 µm Poly-Silicon CMOS Circuits for Intelligent Power IC Application
    Nakagawa, Akio ; Matsudai, Tomoko ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 37 (1998-03-01), S. 1103-1103
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    Improved Ti Self-Aligned Silicide Technology Using High Dose Ge Pre-Amorphization for 0.10 µm CMOS and Beyond
    Toyoshima, Yoshiaki ; Miyashita, Katsura ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 38 (1999-04-01), S. 2238-2238
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    0.8 µm CMOS Process Compatible 60 V–100 m Ω·mm 2 Power MOSFET on Bonded SOI
    Funaki, Hideyuki ; Terazaki, Yoshinori ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 36 (1997-03-01), S. 1513-1513
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    Impact of Nitrogen Implantation in Lightly Doped Drain (NIL) on Deep Sub-Micron CMOS Devices
    Hong, Sung-Kwon ; Hwang, Jeong-Mo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 39 (2000-04-01), S. 2141-2141
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Advantages of Ultra-Thin SIMOX/CMOS based on Well-Established 0.8 µm Mass-Production Technologies for Low Power 1 V Phase Locked Loop Circuits
    Kawai, Shin'ichi ; Suzuki, Hirokazu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 35 (1996-02-01), S. 988-988
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    Performance prediction and function recovery of CMOS circuits damaged by Co-60 irradiation
    Hwu, Jenn-Gwo ; Chang-Liao, K.-S.
    In: IEE Proceedings G Circuits, Devices and Systems, Jg. 139 (1992), S. 319-319
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