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    Dislocation evolution along the growth direction of 2-inch GaN crystal grown by Na-flux LPE
    Ma, Ming ; Yang, Chen ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 126 (2021-05-01), S. 105684-105684
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Dislocation evolution along the growth direction of 2-inch GaN crystal grown by Na-flux LPE
    Yang, Tao ; Hao, Hangfei ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing ; volume 126, page 105684 ; ISSN 1369-8001, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural characterization of AlxGa1−xSb grown by LPE
    G. Juárez Díaz ; Martínez-Juárez, J. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 15 (2012-10-01), S. 472-479
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures
    Prochazkova, O. ; Zavadil, J. ; et al.
    In: Materials Science and Engineering: B, Jg. 165 (2009-11-01), S. 94-97
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Study of annealing conditions on the formation of ohmic contacts on p+ 4H–SiC layers grown by CVD and LPE
    Vassilevski, Konstantin ; Martin, N ; et al.
    In: Materials Science and Engineering: B, 1999-07-01, S. 296-300
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Spectral characteristics of InGaAsP/InP infrared emitting diodes grown by LPE
    Frigeri, Cesare ; Balazs, Janos ; et al.
    In: Materials Science and Engineering: B, 2002-04-01, S. 491-494
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Influence of LPE growth conditions on the electroluminescence properties of InP/InGaAs(P) infrared emitting diodes
    Rakovics, V. ; Püspöki, Sándor ; et al.
    In: Materials Science and Engineering: B, Jg. 80 (2001-03-01), S. 18-22
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    LPE InP layers grown in the presence of rare-earth elements
    Zavadil, J. ; Prochazkova, O. ; et al.
    In: Materials Science and Engineering: B, Jg. 80 (2001-03-01), S. 14-17
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Numerical simulation studies of concentration profile and growth rate of InP LPE
    Ramasamy, P. ; P Santhana Raghavan ; et al.
    In: Materials Science and Engineering: B, Jg. 22 (1994), S. 227-232
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    LBIC characterization of LPE Si layers deposited on multicrystalline Si sub strates
    Stemmer, M. ; Martinuzzi, S. ; et al.
    In: Materials Science and Engineering: B, Jg. 42 (1996-12-01), S. 153-156
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    LPE growth of high Tc Bi2Sr2Ca1Cu2Ox films
    Choi, S.H. ; Yue, A.S. ; et al.
    In: Cryogenics, Jg. 32 (1992), S. 596-599
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Isoperiodical heterostructures GaInAsSb/GaSb grown by LPE from Sb-rich melts in spinodal decomposition area
    Nikitina, Irina P. ; Tret’yakov, D. N. ; et al.
    In: Materials Science and Engineering: B, Jg. 66 (1999-12-01), S. 67-69
    Online unknown
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    Stability of phase-separated microstructure in LPE-grown InGaAs epitaxial layers
    Lee, K. ; Johnson, William C. ; et al.
    In: Materials Science and Engineering: B, Jg. 28 (1994-12-01), S. 209-213
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Photoluminescence of LPE-grown InAs1−x−ySbxPy for 2.55 μm lasers
    Krier, A. ; Rowe, D.R.
    In: Materials Letters, Jg. 13 (1992-04-01), S. 225-231
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Magnetic properties of YBaCuO thick films prepared by LPE method
    Ges, A. P. ; Kurochkin, S. L. ; et al.
    In: Cryogenics, Jg. 32 (1992), S. 616-619
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Crystalline quality of extremely-low-temperature-grown LPE-GaSb
    Ichimura, Masaya ; Usami, Akira ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 10 (1991-02-01), S. 417-420
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Extremely-low-temperature LPE growth of AlxGa1−x−yInySb
    Uekita, Hiroshi ; Wada, Takao ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 13 (1992-03-01), S. 93-95
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Characterization of undoped n-type LPE gallium arsenide by hall, photo-hall and PL measurements
    Yuanxi, Zou ; Haisheng, Yu ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 3 (1985-07-01), S. 336-339
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Fabrication of multi-layer optical waveguide by LPE technique
    Kondo, Susumu ; Miyazawa, Shintaro ; et al.
    In: Materials Research Bulletin, Jg. 15 (1980-02-01), S. 243-250
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Effects of certain growth parameters on hole and electron traps in LPE GaAs
    Liansheng, Li ; Yian, Lu ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 5 (1987-10-01), S. 479-483
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
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xl 1200 - 1366
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