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    Spalling induced van der Waals lift-off and transfer of 4-in. GaN epitaxial films
    Snure, Michael ; Blanton, Eric W. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 134, issue 2 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2023
    academicJournal
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    Influence of growth temperature and miscut angle of m-plane sapphire substrate on the semi-polar (11–22) AlN film grown by HVPE
    Maosong, Sun ; Ting, Liu ; et al.
    In: Frontiers in Physics, Jg. 10 (2022-11-23)
    Online unknown
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    Lattice distortion analysis of nonpolar a-plane $$(11\bar 20)$$ GaN films by using a grazing-incidence X-ray diffraction technique
    Kwang Hyeon Baik ; Kim, Ji-Hoon ; et al.
    In: Journal of the Korean Physical Society, Jg. 66 (2015-02-01), S. 607-611
    Online unknown
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    Growth of High-Quality Epitaxial InN Film with High-Speed Reactant Gas by Organometallic Vapor-Phase Epitaxy
    Hwang, Jih-Sheng ; Yang, Fu-Hsiang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-11-15), S. L1321- (4S.)
    Online unknown
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    Growth and characterization of high quality AlN using combined structure of low temperature buffer and superlattices for applications in the deep ultraviolet
    Kim, Jinwan ; Nam, Okhyun ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 54 (2015-07-27), S. 081001-81001
    Online unknown
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    Phase relations in the system of (Na1/2Bi1/2)TiO3–PbTiO3. II. Dielectric property
    Park, Seung-Eek ; Kug Sun Hong
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 79 (1996), S. 388-392
    Online unknown
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    Heterogeneous integration of GaSb layer on (100) Si substrate by ion-slicing technique
    Liu, Ren-Jie ; Lin, Jia-Jie ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 31 (2022-06-01), S. 076103-76103
    Online unknown
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    Phase relations in the system of (Na1/2Bi1/2)TiO3–PbTiO3. I. Structure
    Park, Seung-Eek ; Hong, Kug Sun
    In: Journal of Applied Physics ; volume 79, issue 1, page 383-387 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 1996
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Phase relations in the system of (Na1/2Bi1/2)TiO3–PbTiO3. II. Dielectric property
    Hong, Kug Sun ; Park, Seung-Eek
    In: Journal of Applied Physics ; volume 79, issue 1, page 388-392 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 1996
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Properties of Si-Doped a-Plane GaN Grown with Different SiH4 Flow Rates
    Kim, Hogyoung ; Keun Man Song ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-05-01), S. 055502-55502
    Online unknown
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    Room-Temperature Epitaxial Growth of High-Quality m-Plane InAlN Films on Nearly Lattice-Matched ZnO Substrates
    Fujii, Tomoaki ; Fujioka, Hiroshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-07-01), S. 070202-70202
    Online unknown
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    Effect of Controlled Growth Dynamics on the Microstructure of Nonpolara-Plane GaN Revealed by X-ray Diffraction
    Wang, Shing-Chung ; In Hwan Lee ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-07-21), S. 071002-71002
    Online unknown
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    Curvature Correction of FWHM in the X-Ray Rocking Curve of Bent Heteroepitaxial Films
    Shu-Ming, Zhang ; Yu-Tian, Wang ; et al.
    In: Chinese Physics Letters, Jg. 26 (2009-07-01), S. 076104-76104
    Online unknown
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    Characteristics of InGaPN∕GaAs heterostructures investigated by photoreflectance spectroscopy
    Wang, T. S. ; Hwang, Jenn-Shyong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-11-01), S. 093709-93709
    Online unknown
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    Low temperature growth of In2O3 films via pulsed laser deposition with oxygen plasma
    Pan, Chengyu ; Tanaka, Tooru ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 60 (2021-05-01), S. 055505-55505
    Online unknown
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    Crystal Orientation Fluctuation of Epitaxial-Lateral-Overgrown GaN with W Mask and SiO2 Mask Observed by Transmission Electron Diffraction and X-Ray Rocking Curves
    Hiramatsu, Kazumasa ; Iyechika, Yasushi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 38 (1999-11-01), S. L1299
    Online unknown
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    Optical and Crystalline Properties of Epitaxial-Lateral-Overgrown-GaN Using Tungsten Mask by Hydride Vapor Phase Epitaxy
    Sone, Hiroki ; Iyechika, Yasushi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 38 (1999-04-01), S. L356
    Online unknown
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    Influence comparison of N2 and NH3 nitrogen sources on AlN films grown by halide vapor phase epitaxy*
    Su, Xujun ; Huang, Jun ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 29 (2020-06-01), S. 076802-76802
    Online unknown
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    The growth and properties of an m-plane InN epilayer on LiAlO2 (100) by metal-organic chemical vapor deposition
    Zhao, Hong ; Liu, Bin ; et al.
    In: Science China Physics, Mechanics and Astronomy, Jg. 55 (2012-05-19), S. 1249-1252
    Online unknown
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    Effect of thermal annealing on AlN films grown on sputtered AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy
    Miyake, Hideto ; Hiramatsu, Kazumasa ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2017-12-18), S. 01AD05
    Online unknown
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