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    A 1.2 dB NF 16.2 dB Gain +0.5 dBm OP1dB 18 GHz SATCOM LNA in 130 nm CMOS
    Kakara, Hari Kishore ; Das, Indrajit ; et al.
    In: 2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2024-03-03, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A New UWB LNA with 15 dB Gain in 90 nm CMOS with Current Reuse Topology
    Khavari, Amir Farzad ; Mafinezhad, Khalil
    In: Electrical Engineering (ICEE), Iranian Conference on, 2018-05-01, S. 184-189
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High linearity LNA with less noise figure for wireless sensor network applications
    Raju, K. ; Rao, D. Sharath Babu
    In: 2016 Online International Conference on Green Engineering and Technologies (IC-GET), 2016-11-01, S. 1-7
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A fully integrated low power UWB LNA using self-body-bias technique for 6.2–10.6 GHz applications
    Karim, Mohammad Nahidul ; Hossain, Shahadat ; et al.
    In: 8th International Conference on Electrical and Computer Engineering, 2014-12-01, S. 556-559
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Wideband LNA for Wireless Multistandard GSM/WiMAX Receiver in 130nm CMOS Process
    Ghazizadeh, Mohammad Hossein ; Asemani, Davud
    In: Electrical Engineering (ICEE), Iranian Conference on, 2018-05-01, S. 114-119
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Design of micro power CMOS LNA for healthcare applications
    Manjula., S ; Selvathi., D
    In: 2012 International Conference on Devices, Circuits and Systems (ICDCS), 2012-03-01, S. 153-156
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A 2.4/5.2-GHz Concurrent Dual-Band CMOS Low Noise Amplifier
    Sattar, S. ; Zulkifli, T.Z.A.
    In: IEEE Access, Jg. 5 (2017), S. 21148-21148
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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