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    Large thickness-dependent improvement of crystallographic texture of CVD silicon films on R-sapphire
    MOYZYKH, M ; SAMOILENKOV, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 383 (2013), S. 145-150
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth of ZnOx:Al by high-throughput CVD at atmospheric pressure
    ILLIBERI, A ; SIMONS, P. J. P. M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 347 (2012), Heft 1, S. 56-61
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ZnO thin films prepared by remote plasma-enhanced CVD method
    HAGA, K ; KAMIDAIRA, M ; et al.
    In: Proceedings of the 9th international conference on II-VI compounds, Kyoto, Japan, 1-5 November 1999, Jg. 214-15 (2000), S. 77-80
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial growth of graphitic carbon on C-face SiC and sapphire by chemical vapor deposition (CVD)
    HWANG, Jeonghyun ; SHIELDS, Virgil B ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 312 (2010), Heft 21, S. 3219-3224
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Nitrogen doping of 3C-SiC thin films grown by CVD in a resistively heated horizontal hot-wall reactor
    ZIELINSKI, M ; PORTAIL, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 13, S. 3174-3182
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth feature of layered self-standing diamond films by DC arc plasma jet CVD
    CHEN, G. C ; LAN, H ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 309 (2007), Heft 1, S. 86-92
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of substrates on morphological evolution of a film in the silicon CVD process: approach by charged cluster model
    CHEONG, W. S ; YOON, D. Y ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 218 (2000), Heft 1, S. 27-32
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Microstructure characterization of δ-Bi2O3 thin film under atmospheric pressure by means of halide CVD on c-sapphire
    TAKEYAMA, T ; TAKAHASHI, N ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 275 (2005), Heft 3-4, S. 460-466
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CVD grown silicon thin films with high carbon concentration : morphology and self-assembly controlled by surface segregation
    WATANABE, Fumiya ; OHMURA, Kouichi ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 222 (2001), Heft 1-2, S. 1-8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Study of surface defects on 3C-SiC films grown on Si(111) by CVD
    HERNANDEZ, M. J ; FERRO, G ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 253 (2003), Heft 1-4, S. 95-101
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Growth characteristics of SiC in a hot-wall CVD reactor with rotation
    ZHANG, J ; FORSBERG, U ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 241 (2002), Heft 4, S. 431-438
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Optical microscopic, synchrotron X-ray topographic and reticulographic study of homoepitaxial CVD diamond
    LANG, A. R ; MAKEPEACE, A. P. W ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 200 (1999), Heft 3-4, S. 446-457
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Microstructure evolution and non-diamond carbon incorporation in CVD diamond thin films grown at low substrate temperatures
    MICHLER, J ; STIEGLER, J ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 172 (1997), Heft 3-4, S. 404-415
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Anisotropy in monocrystalline CVD diamond growth. II: Defect structure of hot filament grown films deposited on planar substrates
    JANSSEN, G ; VAN ENCKEVORT, W. J. P ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 148 (1995), Heft 4, S. 355-364
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Anisotropy in monocrystalline CVD diamond growth. III: Surface morphology of hot filament grown films deposited on planar substrates
    VAN ENCKEVORT, W. J. P ; JANSSEN, G ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 148 (1995), Heft 4, S. 365-382
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Anisotropy effects during non-selective epitaxial growth of Si and SiGe materials
    PRIBAT, Clément ; DUTARTRE, Didier
    In: Journal of crystal growth, Jg. 334 (2011), Heft 1, S. 138-145
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Chemical-vapor-deposition-initiated growth and characterization of diamond and diamond-like microcrystals
    MILENOV, T. I
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 24, S. 5447-5452
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Convection-assisted chemical vapor deposition (CoCVD) of silicon on large-area substrates
    KUNZ, T ; BURKERT, I ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 6, S. 1112-1117
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Study on the initial growth process of crystalline silicon films on aluminum-coated polyethylene napthalate by Raman spectroscopy
    LI, Junshuai ; JINXIAO, WANG ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 308 (2007), Heft 2, S. 330-333
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Room temperature chemical vapor deposition of c-axis ZnO
    BARNES, Teresa M ; LEAF, Jacquelyn ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 274 (2005), Heft 3-4, S. 412-417
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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