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    Wafer‐scale Ge epitaxial foils grown at high growth rates and released from porous substrates for triple‐junction solar cells.
    Depauw, Valérie ; Porret, Clément ; et al.
    In: Progress in Photovoltaics, Jg. 31 (2023-12-01), Heft 12, S. 1315-1328
    Online academicJournal
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    Ge instability and the growth of Ge epitaxial layers in nanochannels on patterned Si (001) substrates.
    Wang, G. ; Rosseel, E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-12-15), Heft 12, S. 123517-1- (8S.)
    Online academicJournal
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    Heavily phosphorus doped germanium: Strong interaction of phosphorus with vacancies and impact of tin alloying on doping activation.
    Vohra, Anurag ; Khanam, Afrina ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 125 (2019-06-14), Heft 22, S. N.PAG- (7S.)
    Online academicJournal
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    Evolution of phosphorus-vacancy clusters in epitaxial germanium.
    Vohra, Anurag ; Khanam, Afrina ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 125 (2019-01-14), Heft 2, S. N.PAG- (6S.)
    Online academicJournal
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    Selective Area Growth of InP and Defect Elimination on Si (001) Substrates.
    Wang, Gang ; Leys, Maarten ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 158 (2011-06-01), Heft 6, S. H645- (6S.)
    academicJournal
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    Selective area growth of high quality InP on Si (001) substrates.
    Wang, G. ; Leys, M. R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-09-20), Heft 12, S. 121913-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    High quality Ge epitaxial layers in narrow channels on Si (001) substrates.
    Wang, G. ; Rosseel, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-03-15), Heft 11, S. 111903-1- (3S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    High Absorption Contrast Quantum Confined Stark Effect in Ultra-Thin Ge/SiGe Quantum Well Stacks Grown on Si.
    Srinivasan, Srinivasan Ashwyn ; Pantouvaki, Marianna ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 56 (2020-02-01), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Record GmSAT/SSSAT and PBTI Reliability in Si-Passivated Ge nFinFETs by Improved Gate-Stack Surface Preparation.
    Arimura, H. ; Dekkers, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5387-5392
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Carrier scattering induced linewidth broadening in in situ P-doped Ge layers on Si.
    Porret, C. ; Pantouvaki, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-10-15), Heft 16, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Scalability comparison between raised- and embedded-SiGe source/drain structures for Si0.55Ge0.45 implant free quantum well pFET.
    Yamaguchi, S. ; Witters, L. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 83 (2018-04-01), S. 157-161
    academicJournal
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    Strained Germanium Gate-All-Around pMOS Device Demonstration Using Selective Wire Release Etch Prior to Replacement Metal Gate Deposition.
    Witters, L. ; Arimura, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4587-4593
    Online academicJournal
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    Properties and growth peculiarities of Si0.30Ge0.70 stressor integrated in 14 nm fin-based p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
    Hikavyy, A. ; Rosseel, E. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 602 (2016-03-01), S. 72-77
    academicJournal
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    Enhanced active P doping by using high order Ge precursors leading to intense photoluminescence.
    Shimura, Yosuke ; Srinivasan, Srinivasan Ashwyn ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 602 (2016-03-01), S. 56-59
    academicJournal
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    Ge-Source Vertical Tunnel FETs Using a Novel Replacement-Source Integration Scheme.
    Rooyackers, Rita ; Vandooren, Anne ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 12, S. 4032-4039
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Challenges and opportunities in advanced Ge pMOSFETs
    Simoen, E. ; Mitard, J. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 15 (2012-12-01), Heft 6, S. 588-600
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A model of threading dislocation density in strain-relaxed Ge and GaAs epitaxial films on Si (100)
    Wang, G. ; Loo, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-03-09), Heft 10, S. 102115-102115
    Online academicJournal
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    Selective Area Growth of InP on On-Axis Si(001) Substrates with Low Antiphase Boundary Formation.
    Loo, R. ; Wang, G. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 159 (2012-03-01), Heft 3, S. H260- (6S.)
    academicJournal
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    Boron Delta-Doping Dependence on Si/SiGe Resonant Interband Tunneling Diodes Grown by Chemical Vapor Deposition.
    Ramesh, Anisha ; Growden, Tyler A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-03-01), Heft 3, S. 602-609
    Online academicJournal
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    Arsenic-doped Ge-spiked monoemitter SiGe:C heterojunction bipolar transistors by low-temperature trisilane based chemical vapor deposition
    You, Shuzhen ; Decoutere, Stefaan ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 520 (2012-02-01), Heft 8, S. 3345-3348
    academicJournal
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