Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
26 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Sprache

26 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Investigation and Localization of the SiGe Source/Drain (S/D) Strain-Induced Defects in PMOSFET With 45-nm CMOS Technology.
    Cheng, C. Y. ; Fang, Y. K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-05-01), Heft 5, S. 408-411
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    High FET Performance for a Future CMOS GeO2-Based Technology.
    Bellenger, Florence ; De Jaeger, Brice ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-05-01), Heft 5, S. 402-404
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    High FET Performance for a Future CMOS GeO<subscript>2</subscript>-Based Technology.
    Bellenger, Florence ; De Jaeger, Brice ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-05-01), Heft 5, S. 402-404
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Tensile-Strained Germanium CMOS Integration on Silicon.
    Zang, H. ; Loh, W. Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-12-01), Heft 12, S. 1117-1119
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Analytical Study of Interfacial Layer Doping Effect on Contact Resistivity in Metal-Interfacial Layer-Ge Structure.
    Kim, Jeong-Kyu ; Kim, Gwang-Sik ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-07-01), Heft 7, S. 705-707
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Tightly Stacked 3D Diamond-Shaped Ge Nanowire Gate-All-Around FETs With Superior nFET and pFET Performance.
    Lin, Yi-Wen ; Chang, Hao-Hsiang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-12-01), Heft 12, S. 1727-1730
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Demonstration of Lg ~ 55 nm pMOSFETs With Si/Si0.25Ge0.75/Si Channels, High Ion/Ioff (> 5 × 104), and Controlled Short Channel Effects (SCEs)
    Lee, Se-Hoon ; Majhi, Prashant ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-09-01), Heft 9, S. 1017-1020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Schottky Barrier Height Modulation of Nickel-Dysprosium-Alloy Germanosilicide Contacts for Strained P-FinFETs.
    Sinha, Mantavya ; Lee, Rinus Tek Po ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-12-01), Heft 12, S. 1278-1280
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Enhanced Sensitivity of Small-Size (With 1-μm Gate Length) Junction-Field-Effect-Transistor-Based Germanium Photodetector Using Two-Step Germanium Epitaxy by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition.
    Wang, J. ; Zang, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-10-01), Heft 10, S. 1066-1068
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High Aspect Ratio Silicon Nanowire for Stiction Immune Gate-All-Around MOSFETs.
    Han, Jin-Woo ; Moon, Dong-II ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-08-01), Heft 8, S. 864-866
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    p-Channel Ge MOSFET by Selectively Heteroepitaxially Grown Ge on Si.
    Yu, Hyun-Yong ; Ishibashi, Masato ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-06-01), Heft 6, S. 675-677
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Three-Dimensional Metal Gate-High- k-GOI CMOSFETs on 1-Poly-6-Metal 0.18-μm Si Devices.
    Yu, D. S. ; Chin, Albert ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-02-01), Heft 2, S. 118-120
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Ge n-MOSFETs on Lightly Doped Substrates With High-k Dielectric and TaN Gate.
    Bai, W. P. ; Lu, N. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-03-01), Heft 3, S. 175-178
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High Ge Content of SiGe Channel pMOSFETs on Si (110) Surfaces.
    Lee, M. H. ; Chang, S. T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-02-01), Heft 2, S. 141-143
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    p-Channel Ge MOSFET by Selectively Heteroepitaxially Grown Ge on Si.
    Yu, Hyun-Yong ; Ishibashi, Masato ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-06-01), Heft 6, S. 675-677
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    On the Temperature arid Field Dependence of Trap-Assisted Tunneling Current in Ge p+n Junctions.
    Simoen, Eddy ; De Stefano, Francesca ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-05-01), Heft 5, S. 562-564
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Characterization of Copper Germanide as Contact Metal for Advanced MOSFETs.
    Chao, Y. L. ; Xu, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-07-01), Heft 7, S. 549-551
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Comparison of Threshold-Voltage Shifts for Uniaxial and Biaxial Tensile-Stressed n-MOSFETs.
    Lim, Ji-Song ; Thompson, Scott E. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-11-01), Heft 11, S. 731-733
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Influence of Surface Treatment Prior to ALD High-κ Dielectrics on the Performance of SiGe Surface-Channel pMOSFETs.
    Wu, D. ; Lu, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-05-01), Heft 5, S. 289-291
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Self-Aligned n-Channel Germanium MOSFETs With a Thin Ge Oxynitride Gate Dielectric and Tungsten Gate.
    Shang, Huiling ; Lee, Kam-Leung ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-03-01), Heft 3, S. 135-137
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -