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    Croissance et caractérisation des nanofils de silicium et de germanium obtenus par dépôt chimique en phase vapeur sous ultravide
    Boukhicha, Rym ; Institut d'électronique fondamentale (IEF) ; et al.
    2011
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Growth and caracterization of silicon and germanium nanowires obtained by ultra high vacuum chemical vapor deposition
    Boukhicha, Rym ; STAR, ABES ; et al.
    2011
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Growth and caracterization of silicon and germanium nanowires obtained by ultra high vacuum chemical vapor deposition ; Croissance et caractérisation des nanofils de silicium et de germanium obtenus par dépôt chimique en phase vapeur sous ultravide
    Boukhicha, Rym ; Institut d'électronique fondamentale (IEF) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-00595422 ; Autre [cond-mat.other]. Université Paris Sud - Paris XI, 2011. Français. ⟨NNT : 2011PA112023⟩, 2011
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Etude et compréhension des mécanismes de croissance catalysés des nanofils de silicium obtenus par Dépôt Chimique en phase Vapeur
    Oehler, Fabrice ; Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC) ; et al.
    2010
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Study and analysis of the catalyzed growth mechanisms of silicon nanowires obtained by Chemical Vapour Deposition ; Etude et compréhension des mécanismes de croissance catalysés des nanofils de silicium obtenus par Dépôt Chimique en phase Vapeur
    Oehler, Fabrice ; Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-00521128 ; Matière Condensée [cond-mat]. Université Joseph-Fourier - Grenoble I, 2010. Français. ⟨NNT : ⟩, 2010
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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