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    Oxygen vacancy contributions to the electrical stress response and endurance of ferroelectric hafnium zirconium oxide thin films.
    Mallick, Antik ; Lenox, Megan K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-03-27), Heft 13, S. 1-6
    Online academicJournal
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    HZO-based FerroNEMS MAC for in-memory computing.
    Jadhav, Shubham ; Gund, Ved ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 121 (2022-11-07), Heft 19, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Special topic on ferroelectricity in hafnium oxide: Materials and devices.
    Mikolajick, Thomas ; Schroeder, Uwe ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-05-14), Heft 18, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Short-channel robustness from negative capacitance in 2D NC-FETs.
    Lin, Yuh-Chen ; Rayner, G. Bruce ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-03-14), Heft 10, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Perspective on ferroelectric, hafnium oxide based transistors for digital beyond von-Neumann computing.
    Breyer, Evelyn T. ; Mulaosmanovic, Halid ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-02-07), Heft 5, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Frequency domain analysis of pyroelectric response in silicon-doped hafnium oxide (HfO<subscript>2</subscript>) thin films.
    Mart, C. ; Czernohorsky, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-09-17), Heft 12, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Frequency domain analysis of pyroelectric response in silicon-doped hafnium oxide (HfO2) thin films.
    Mart, C. ; Czernohorsky, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-09-17), Heft 12, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Nucleation limited switching (NLS) model for HfO<subscript>2</subscript>-based metal-ferroelectric-metal (MFM) capacitors: Switching kinetics and retention characteristics.
    Gong, N. ; Sun, X. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-06-25), Heft 26, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Nucleation limited switching (NLS) model for HfO2-based metal-ferroelectric-metal (MFM) capacitors: Switching kinetics and retention characteristics.
    Gong, N. ; Sun, X. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-06-25), Heft 26, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Scaling limits of hafnium-silicate films for gate-dielectric applications.
    Takeuchi, Hideki ; King, Tsu-Jae
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-07-28), Heft 4, S. 788-790
    Online academicJournal
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    Soft x-ray photoemission studies of the HfO2/SiO2/Si system.
    Sayan, S. ; Garfunkel, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-03-25), Heft 12, S. 2135-2137
    Online academicJournal
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    Current conduction of 0.72 nm equivalent-oxide-thickness LaO/HfO2 stacked gate dielectrics.
    Liu, Chuan-Hsi ; Chen, Hung-Wen ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 95 (2009-07-06), Heft 1, S. 012103-12103
    Online academicJournal
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    Impact of interfacial layer control using Gd2O3 in HfO2 gate dielectric on GaAs.
    Dalapati, Goutam Kumar ; Tong, Yi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-04-30), Heft 18, S. 183510-183510
    Online academicJournal
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    Isotopic labeling study of the oxygen diffusion in HfO2/SiO2/Si.
    Zhao, Ming ; Nakajima, Kaoru ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-03-26), Heft 13, S. 133510-133510
    Online academicJournal
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    Controlling interfacial reactions between HfO2 and Si using ultrathin Al2O3 diffusion barrier layer.
    Katamreddy, Rajesh ; Inman, Ronald ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-12-25), Heft 26, S. 262906-262906
    Online academicJournal
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    Growth of highly oriented HfO2 thin films of monoclinic phase on yttrium-stabilized ZrO2 and Si substrates by pulsed-laser deposition.
    Dhar, S. ; Ramachandra Rao, M. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-12-12), Heft 24, S. 241504-241504
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    HfO2 high-k dielectrics grown on (100)Ge with ultrathin passivation layers: Structure and interfacial stability.
    Seo, J. W. ; Dieker, Ch ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-11-28), Heft 22, S. 221906-221906
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    Investigation of work function tuning using multiple layer metal gate electrodes stacks for complementary metal-oxide-semiconductor applications.
    Jha, Rashmi ; Lee, Jae ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-11-28), Heft 22, S. 223503-223503
    Online academicJournal
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    Chemical reaction at the interface between polycrystalline Si electrodes and HfO2/Si gate dielectrics by annealing in ultrahigh vacuum.
    Takahashi, H. ; Toyoda, S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-11-21), Heft 1, S. 012903-12903
    Online academicJournal
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