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    All-Silicon Microdisplay Using Efficient Hot-Carrier Electroluminescence in Standard 0.18μm CMOS Technology
    Luo, Qian ; Xu, Kaikai ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-04-01), S. 541-544
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    Non-Volatile Wideband Frequency Tuning of a Ring-Oscillator by Charge Trapping in High-k Gate Dielectric in 22nm CMOS
    Iyer, Subramanian S. ; Nouri, Sepideh
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021), S. 110-113
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    AC Device Variability in High- <tex-math notation='LaTeX'>$\kappa$ </tex-math> Metal-Gate CMOS Technology
    Narayanan, Vijay ; Lee, Dongsoo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019), S. 13-16
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    Assessment of Germanane Field-Effect Transistors for CMOS Technology
    Yoon, Youngki ; AlMutairi, AbdulAziz ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), S. 1743-1746
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    Monolithic Three-Dimensional 65-nm CMOS-Nanoelectromechanical Reconfigurable Logic for Sub-1.2-V Operation
    Woo Young Choi ; Hyug Su Kwon ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-09-01), S. 1317-1320
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    Charge Trap Transistor (CTT): An Embedded Fully Logic-Compatible Multiple-Time Programmable Non-Volatile Memory Element for High- $k$ -Metal-Gate CMOS Technologies
    Khan, Faraz ; Iyer, Subramanian S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017), S. 44-47
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    Low-Leakage and Low-Trigger-Voltage SCR Device for ESD Protection in 28-nm High- $k$ Metal Gate CMOS Process
    Lin, Chun-Yu ; Ker, Ming-Dou ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-11-01), S. 1387-1390
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    High-Voltage Generation in CMOS Photovoltaic Devices by Localized Substrate Removal
    Su, Hsiu-Wei ; Hung, Yung-Jr ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-06-01), S. 754-757
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    Full-Swing Clock Generating Circuits on Plastic Using a-IGZO Dual-Gate TFTs With Pseudo-CMOS and Bootstrapping
    Mativenga, Mallory ; Geng, Di ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-07-01), S. 882-885
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    A 0.27e-rms Read Noise 220-μV/e-Conversion Gain Reset-Gate-Less CMOS Image Sensor With 0.11-μm CIS Process
    Seo, Min-Woong ; Kawahito, Shoji ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-12-01), S. 1344-1347
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    Interconnect Design and Benchmarking for Charge-Based Beyond-CMOS Device Proposals
    Pan, Chenyun ; Naeemi, Azad
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-04-01), S. 508-511
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    ESD Robust Fully Salicided 5-V Integrated Power MOSFET in Submicron CMOS
    Prabhu, Manjunatha ; Lee, Jian-Hsing ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), S. 623-625
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    An Analytical Metal Resistance Model and Its Application for Sub-22-nm Metal-Gate CMOS
    Weng, Weihao ; Grunow, Stephan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-04-01), S. 384-386
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    A Broadband Model Over 1–220 GHz for GSG Pad Structures in RF CMOS
    Yu, Zhiping ; Liu, Jun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-07-01), S. 696-698
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    Characterization of Multilayer Metal Gate Fuse in 28-nm CMOS Logic Technology
    Lin, Yu-Cheng ; King, Ya-Chin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-09-01), S. 1088-1090
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    ESD Protection Device With Dual-Polarity Conduction and High Blocking Voltage Realized in CMOS Process
    Hajjar, Jean-Jacques ; Luo, Sirui ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-04-01), S. 437-439
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    Impact of Stress Mode on Stochastic BTI in Scaled MG/HK CMOS Devices
    Srinivasan, Purushothaman ; Kerber, Andreas
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-04-01), S. 431-433
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    CMOS On-Chip Stable True-Random ID Generation Using Antenna Effect
    Tang, Fang ; Mohamad, Saqib ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014), S. 54-56
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    28-nm 2T High-<formula formulatype='inline'><tex Notation='TeX'>$K$</tex></formula> Metal Gate Embedded RRAM With Fully Compatible CMOS Logic Processes
    Tsai, Ming-Jinn ; Chrong Jung Lin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-10-01), S. 1253-1255
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    Compact Layout of DT-MOS Transistor With Source-Follower Subcircuit in 90-nm CMOS Technology
    Hsu, Heng-Ming ; Lee, Tai-Hsing
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-04-01), S. 392-395
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