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    Integrated CMOS Microwave Power Converter for Passive Wireless Devices
    Konoplev, Boris G. ; Sinyukin, A. S.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-05-01), S. 189-196
    Online unknown
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    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 324-331
    Online unknown
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    Methods of Improving the Accuracy of Simulating Delays and Peak Currents of Combinational CMOS-Circuits at the Logical Design Level
    Ivanova, G. A. ; Ryzhova, D. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-12-01), S. 477-484
    Online unknown
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    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Masal’skii, N. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), S. 30-36
    Online unknown
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    Extracting a Logic Gate Network from a Transistor-Level CMOS Circuit
    Cheremisinov, Dmitry I. ; Cheremisinova, Liudmila D.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-05-01), S. 187-196
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    Investigating the Dynamic Characteristics of High-Temperature SOI CMOS VLSIC Elements
    Ignatov, P. V. ; Shelepin, N. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-05-01), S. 197-200
    Online unknown
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    A System for Logical Design of Custom CMOS VLSI Functional Blocks with Reduced Power Consumption
    Kardash, S. N. ; Yu. Yu. Lankevich ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018), S. 65-81
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Investigation of the features of integrating nonvolatile FRAM elements with CMOS technology
    Voronov, D. D. ; G. Ya. Krasnikov ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-09-01), S. 353-358
    Online unknown
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    Comparative analysis of CMOS circuits of a thermometer-to-binary encoder for integrated flash analog-to-digital converters
    Budanov, Dmitry O. ; Morozov, Dmitry ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017), S. 45-54
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Simulation of the potential distribution in an inhomogeneously doped workspace of a double-gate SOI CMOS nanotransistor
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-03-01), S. 139-148
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Basic memory elements using DICE cells for fault-tolerant 28 nm CMOS RAM
    Stepanov, Pavel ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-11-01), S. 368-379
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Electrothermal behavior of the elements of SOS CMOS chips
    Skorobogatov, P. K. ; Gerasimchuk, O. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 40 (2011-05-01), S. 215-224
    Online unknown
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    Investigation of the possibility to develop radiation-hardness LSIs for navigational purposes according to the 0.35-μm domestic CMOS SOI technology
    Nazarova, G. N. ; Titarenko, A. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-07-01), S. 266-277
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Optimization of parameters of double-gate sub-20 nanometers SOI CMOS transistors with architecture 'without overlapping'
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012), S. 51-58
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    Prospects for using submicron CMOS VLSI in fault-tolerant equipment operating under exposure to atmospheric neutrons
    Baranov, S. V. ; Bobkov, S. G. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 38 (2009), S. 43-47
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    New CMOS circuit implementation of a one-bit full-adder cell
    Shubin, V. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 40 (2011-03-01), S. 119-127
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Operability analysis of submicron CMOS-based VLSI RAMs operated under extreme thermal conditions
    Cherkasov, I. G. ; Yakovlev, A. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 38 (2009), S. 48-57
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Delta-sigma modulator with a 50-MHz sampling rate implemented in 0.18-μm CMOS technology
    Pilipko, Mikhail M. ; Morozov, Dmitry ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 39 (2010-05-20), S. 210-219
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    The use of stressed silicon in MOS transistors and CMOS structures
    Neizvestnyi, I. G. ; Gridchin, V. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 38 (2009-03-01), S. 71-86
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Modeling neutron ionization effects on high-density CMOS circuit elements
    Zebrev, G. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 35 (2006-05-01), S. 185-196
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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