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    Intrinsic speed limit of negative capacitance transistors
    Alexander John Rosner ; Salahuddin, Sayeef ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-09-01), S. 1328-1330
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Bilayer PseudoSpin Field-Effect Transistor (BiSFET): A Proposed New Logic Device
    Reddy, Dharmendar ; Tutuc, Emanuel ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-02-01), S. 158-160
    Online unknown
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    A Quasi-Analytical Model for Double-Gate Tunneling Field-Effect Transistors
    Chi On Chui ; Pan, A.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-10-01), S. 1468-1470
    Online unknown
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    Memory SEU simulations using 2-D transport calculations
    Axness, C.L. ; Fu, J.S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 6 (1985-08-01), S. 422-424
    Online unknown
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    A quasi-analytical SET model for few electron circuit simulation
    Ionescu, Adrian M. ; Banerjee, Kaustav ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002-06-01), S. 366-368
    Online unknown
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    A novel multiple-valued logic gate using resonant tunneling devices
    Chen, Kevin J. ; Yamamoto, Masafumi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-05-01), S. 223-225
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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