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    On the scaling of subnanometer EOT gate dielectrics for ultimate nano CMOS technology
    Iwai, Hiroshi ; Wong, Hei
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 138 (2015-04-01), S. 57-76
    Online unknown
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    Electron- and ion-beam lithography for the fabrication of nanomechanical devices integrated on CMOS circuits
    Rius, Gemma ; Pérez-Murano, Francesc ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-04-01), S. 1046-1049
    Online unknown
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    A hybrid CMOS–SET co-fabrication platform using nano-grain polysilicon wires
    Pott, V. ; Fazan, P. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, 2005-03-01, S. 239-243
    Online unknown
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    CMOS/SOI technologies for low-power and low-voltage circuits
    Grouillet, A. ; Faynot, O. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 48 (1999-09-01), S. 327-334
    Online unknown
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    Manufacturability of 3D-epitaxial-lateral-overgrowth CMOS circuits with three stacked channels
    Hoefflinger, B. ; Zingg, Rene ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 15 (1991-10-01), S. 191-194
    Online unknown
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    A direct-write electron beam lithographic technique for the fabrication of CMOS-SOS devices with sub-micron gate dimensions
    Willis, H. ; S J Till ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 9 (1989-05-01), S. 225-229
    Online unknown
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    Ultimate nano-electronics: New materials and device concepts for scaling nano-electronics beyond the Si roadmap
    Veloso, Anabela ; Alian, A. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 132 (2015), S. 218-225
    Online unknown
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    Roadmap for 22nm and beyond (Invited Paper)
    Iwai, Hiroshi
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-07-01), S. 1520-1528
    Online unknown
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    Potential nanoelectronic integrated circuit technologies
    Frazier, Gary A. ; Broekaert, Tom P. E. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 32 (1996-09-01), S. 15-30
    Online unknown
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    Moore’s crystal ball: Device physics and technology past the 15nm generation
    Kuhn, Kelin J.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-07-01), S. 1044-1049
    Online unknown
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    Atom probe tomography of SRAM transistors: Specimen preparation methods and analysis
    Bicais, N. ; Mangelinck, D. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 107 (2013-07-01), S. 167-172
    Online unknown
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    New concept of high-k integration in MOSFET’s by a deposition through contact holes
    Leverd, Francois ; Regnier, Christophe ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 72 (2004-04-01), S. 321-325
    Online unknown
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    Poly-Si gate patterning issues for ultimate MOSFET
    Renard, S. ; Heitzmann, M. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, 2002-07-01, S. 859-865
    Online unknown
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    Active NEMS combining a single crystal silicon mechanical structure and an embedded MOSFET transistor for sensing and RF applications
    Renaux, P. ; Duraffourg, Laurent ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-08-01), S. 2364-2367
    Online unknown
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    New concept for ultra small N-MOSFET's
    Köster, T. ; Stein, J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 35 (1997-02-01), S. 305-308
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Ultra-dense silicon nanowires: A technology, transport and interfaces challenges insight (invited)
    Hubert, Arnaud ; Hartmann, J.M. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, 2011-07-01
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Optical beam induced currents in MOS transistors
    Lackmann, R. ; Fritz, J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 12 (1990-05-01), S. 381-388
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Submicron gate level process step using e-beam lithography
    Danneels, J ; K L Hagemans ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 3 (1985-12-01), S. 519-524
    Online unknown
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