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    Analysis of Random Telegraph Signal Noise in Dual and Single Oxide Device and Its Application to Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor Readout Circuit
    Lee, Hochul ; Yoon, Youngchang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2602-2605
    Online unknown
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    Impact of SiN on Performance in Novel Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Architecture Using Substrate Strained-SiGe and Mechanical Strained-Si Technology
    Chung Yi Wu ; San Lein Wu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-05-08), S. 2882-2886
    Online unknown
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    A 'Self-Body-Biased' SOI MOSFET: A Novel Body-Voltage-Controlled SOI MOSFET for Low Voltage Applications
    Funakoshi, Shichio ; Terauchi, Mamoru
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-04-30), S. 2014-2019
    Online unknown
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    Impact of Geometrical and Electrical Parameters on Speed Performance Characteristics in Ultimate Double-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
    Loussier, X. ; Tintori, Olivier ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-05-16), S. 3390-3395
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    Effect of Oxide Breakdown on Complementary Metal Oxide Semiconductor Circuit Operation and Reliability
    Kamakura, Yoshinari ; Taniguchi, Kenji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-11-15), S. 7866-7870
    Online unknown
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    Impact of Thermal Stability on the Characteristics of Complementary Metal Oxide Semiconductor Transistors with TiN Metal Gate
    Ya Chen Kao ; Meng Fan Wang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-02-15), S. 546-551
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    A Wide-Dynamic-Range Photodiode-Type Active Pixel Sensor Cell with Seamlessly Combined Logarithmic–Linear–Logarithmic Response
    Terauchi, Mamoru ; Hamasaki, Atsushi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-07-04), S. 4050-4053
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    Impact of (Quasi-)Ballistic Transport on Operation of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Inverters Based on Fully-Depleted Silicon-on-Insulator and Nanowire Devices
    Jaud, Marie-Anne ; Munteanu, Daniela ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011), S. 014103-14103
    Online unknown
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    Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal–Oxide–Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-on-Insulator Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
    Takenaka, Mitsuru ; Nakane, Ryosho ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-04-20), S. 04C050
    Online unknown
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    Application of Field-Induced Source/Drain Schottky Metal-Oxide-Semiconductor to Fin-Like Body Field-Effect Transistor
    Jan Tsai Liu ; Sze, Simon M. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-06-01), S. L626- (3S.)
    Online unknown
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