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    Integrated CMOS Microwave Power Converter for Passive Wireless Devices
    Konoplev, Boris G. ; Sinyukin, A. S.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-05-01), S. 189-196
    Online unknown
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    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 324-331
    Online unknown
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    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Masal’skii, N. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), S. 30-36
    Online unknown
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    Extracting a Logic Gate Network from a Transistor-Level CMOS Circuit
    Cheremisinov, Dmitry I. ; Cheremisinova, Liudmila D.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-05-01), S. 187-196
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    Simulation of the potential distribution in an inhomogeneously doped workspace of a double-gate SOI CMOS nanotransistor
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-03-01), S. 139-148
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    Investigation of the possibility to develop radiation-hardness LSIs for navigational purposes according to the 0.35-μm domestic CMOS SOI technology
    Nazarova, G. N. ; Titarenko, A. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-07-01), S. 266-277
    Online unknown
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    Optimization of parameters of double-gate sub-20 nanometers SOI CMOS transistors with architecture 'without overlapping'
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012), S. 51-58
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    The use of stressed silicon in MOS transistors and CMOS structures
    Neizvestnyi, I. G. ; Gridchin, V. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 38 (2009-03-01), S. 71-86
    Online unknown
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    Fully depleted SOI CMOS logic gates for low-voltage applications
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 37 (2008-11-01), S. 410-417
    Online unknown
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    Synthesis and investigation of new materials in MIS structures for the development of physical foundations of CMOS technologies of nanoelectronics
    Spiga, Sabina ; Sogoyan, A. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 39 (2010-05-20), S. 165-174
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Low-voltage arithmetic units based on fully depleted SOI CMOS nanotransistors
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 39 (2010), S. 54-62
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Dominant mechanisms of transient-radiation upset in CMOS RAM VLSI circuits realized in SOS technology
    Poljakov, I. V. ; Nikiforov, A. Y. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 35 (2006-05-01), S. 162-176
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Method for the Development of Indicators of a Transient Period Based on Short-Pulse Shapers in Asynchronous Adders
    Starykh, A. A. ; Kovalev, A. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-11-01), S. 504-509
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    Small-signal optimization approach to design of microwave signal switch ICs on MOS transistors
    Nazarova, G. N. ; Usachev, N. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-09-01), S. 365-369
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Analysis of characteristics for periodically doped channel field-effect transistors under extreme thermal conditions
    Orlov, O. M. ; Imametdinov, E. F. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-07-01), S. 231-235
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Ring voltage controlled oscillator for high-speed PLL systems
    Bistritskii, S. A. ; Bormontov, E. N. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 43 (2014-11-14), S. 472-476
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Radiation-induced degradation in the dynamic parameters of memory chips
    Ulanova, A. V. ; A. Yu. Nikiforov ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-07-01), S. 259-265
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Design of fully integrated programmable PLL frequency synthesizers for microprocessor clocking at 1–1500 MHz
    Garmash, A. A. ; Baikov, V. D. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 36 (2007-03-01), S. 127-134
    Online unknown
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    [Untitled]
    Kouleshoff, A. A. ; Stempitsky, V. R. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 32 (2003), S. 39-50
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    TCAD Simulation of Dose Radiation Effects in Sub-100-nm High-κ MOS Transistor Structures
    Popov, D. A. ; Petrosyants, Konstantin O. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-11-01), S. 487-493
    Online unknown
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