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    Integrated CMOS Microwave Power Converter for Passive Wireless Devices
    Konoplev, Boris G. ; Sinyukin, A. S.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-05-01), S. 189-196
    Online unknown
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    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 324-331
    Online unknown
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    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Masal’skii, N. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), S. 30-36
    Online unknown
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    Extracting a Logic Gate Network from a Transistor-Level CMOS Circuit
    Cheremisinov, Dmitry I. ; Cheremisinova, Liudmila D.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-05-01), S. 187-196
    Online unknown
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    Investigating the Dynamic Characteristics of High-Temperature SOI CMOS VLSIC Elements
    Ignatov, P. V. ; Shelepin, N. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-05-01), S. 197-200
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    Comparative analysis of CMOS circuits of a thermometer-to-binary encoder for integrated flash analog-to-digital converters
    Budanov, Dmitry O. ; Morozov, Dmitry ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017), S. 45-54
    Online unknown
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    Simulation of the potential distribution in an inhomogeneously doped workspace of a double-gate SOI CMOS nanotransistor
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-03-01), S. 139-148
    Online unknown
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    Electrothermal behavior of the elements of SOS CMOS chips
    Skorobogatov, P. K. ; Gerasimchuk, O. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 40 (2011-05-01), S. 215-224
    Online unknown
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    Investigation of the possibility to develop radiation-hardness LSIs for navigational purposes according to the 0.35-μm domestic CMOS SOI technology
    Nazarova, G. N. ; Titarenko, A. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-07-01), S. 266-277
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Optimization of parameters of double-gate sub-20 nanometers SOI CMOS transistors with architecture 'without overlapping'
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012), S. 51-58
    Online unknown
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    Prospects for using submicron CMOS VLSI in fault-tolerant equipment operating under exposure to atmospheric neutrons
    Baranov, S. V. ; Bobkov, S. G. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 38 (2009), S. 43-47
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    New CMOS circuit implementation of a one-bit full-adder cell
    Shubin, V. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 40 (2011-03-01), S. 119-127
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    Operability analysis of submicron CMOS-based VLSI RAMs operated under extreme thermal conditions
    Cherkasov, I. G. ; Yakovlev, A. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 38 (2009), S. 48-57
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The use of stressed silicon in MOS transistors and CMOS structures
    Neizvestnyi, I. G. ; Gridchin, V. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 38 (2009-03-01), S. 71-86
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Modeling neutron ionization effects on high-density CMOS circuit elements
    Zebrev, G. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 35 (2006-05-01), S. 185-196
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Influence of implantation of silicon and oxygen ions into a heteroepitaxial silicon layer on a sapphire substrate on the leakage currents of n-channel transistors of CMOS IC SOS technology
    Ulanova, A.V. ; Chistilin, A. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 40 (2011-05-01), S. 209-214
    Online unknown
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    Fully depleted SOI CMOS logic gates for low-voltage applications
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 37 (2008-11-01), S. 410-417
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    New CMOS process using a thermal-oxide mask for making n −- and p −-Wells
    Snitovsky, Yu. P. ; Krasikov, M. G.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 37 (2008-05-01), S. 166-174
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Synthesis and investigation of new materials in MIS structures for the development of physical foundations of CMOS technologies of nanoelectronics
    Spiga, Sabina ; Sogoyan, A. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 39 (2010-05-20), S. 165-174
    Online unknown
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    Low-voltage arithmetic units based on fully depleted SOI CMOS nanotransistors
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 39 (2010), S. 54-62
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
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md 768 - 992
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xl 1200 - 1366
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