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    Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL.
    Cai, Yulong ; Wen, Lin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1861-1868
    Online academicJournal
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    A Soft-Error Hardened by Design Microprocessor Implemented on Bulk 12-nm FinFET CMOS.
    Clark, Lawrence T. ; Duvnjak, Alen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1602-1609
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Single-Event Latchup in a CMOS-Based ASIC Using Heavy Ions, Laser Pulses, and Coupled Simulation.
    Mauguet, M. ; Andrianjohany, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1516-1522
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Impacts of Proton Radiation on Heavy-Ion-Induced Single-Event Transients in 65-nm CMOS Technology.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 177-183
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology.
    Wang, Yuchong ; Liu, Fanyu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 1660-1667
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Circuit-Level Layout-Aware Modeling of Single-Event Effects in 65-nm CMOS ICs.
    Balbekov, Anton O. ; Gorbunov, Maxim S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1914-1919
    Online academicJournal
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    Heavy Ion Characterization of Temporal-, Dual- and Triple Redundant Flip-Flops Across a Wide Supply Voltage Range in a 65 nm Bulk CMOS Process.
    Hasanbegovic, Amir ; Aunet, Snorre
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 6, S. 2962-2970
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of Elevated Temperatures Impact on Single Event Transient in Advanced CMOS Logics Beyond the 65-nm Technological Node.
    Artola, L. ; Hubert, G.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1611-1617
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Comparison of a 65 nm CMOS Ring- and LC-Oscillator Based PLL in Terms of TID and SEU Sensitivity.
    Prinzie, Jeffrey ; Christiansen, Jorgen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 245-252
    Online academicJournal
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    Experimental Investigation of the Joint Influence of Reduced Supply Voltage and Charge Sharing on Single-Event Transient Waveforms in 65-nm Triple-Well CMOS.
    Mitrovic, Mladen ; Hofbauer, Michael ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1908-1913
    Online academicJournal
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    SET Tolerance of 65 nm CMOS Majority Voters: A Comparative Study.
    Danilov, Igor A. ; Gorbunov, Maxim S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1597-1602
    Online academicJournal
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    Design of 65 nm CMOS SRAM for Space Applications: A Comparative Study.
    Gorbunov, Maxim S. ; Dolotov, Pavel S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1575-1582
    Online academicJournal
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    Proton, Electron, and Heavy Ion Single Event Effects on the HAS2 CMOS Image Sensor.
    Beaumel, Matthieu ; Herve, Dominique ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1909-1917
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Experimental Investigation of Single-Event Transient Waveforms Depending on Transistor Spacing and Charge Sharing in 65-nm CMOS.
    Mitrovic, Mladen ; Hofbauer, Michael ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8 Part 1, S. 2136-2143
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Radiation-Induced Dose and Single Event Effects in Digital CMOS Image Sensors.
    Virmontois, Cedric ; Toulemont, Arthur ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3331-3340
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Heavy Ion Characterization and Monte Carlo Simulation on 32 nm CMOS Bulk Technology.
    Uznanski, Slawosz ; Gasiot, Gilles ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2652-2657
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Single-Event Upsets in Substrate-Etched CMOS SOI SRAMs Using Ultraviolet Optical Pulses With Sub-Micrometer Spot Size.
    McMorrow, Dale ; Khachatrian, Ani ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4184-4191
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    Impact of Neutron-Induced Displacement Damage on the Multiple Bit Upset Sensitivity of a Bulk CMOS SRAM.
    Gadlage, Matthew J. ; Kay, Matthew J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2722-2728
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Single-Event Charge Collection and Upset in 40-nm Dual- and Triple-Well Bulk CMOS SRAMs.
    Chatterjee, Indranil ; Narasimham, Balaji ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2761-2767
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    A Commercial 65 nm CMOS Technology for Space Applications: Heavy Ion, Proton and Gamma Test Results and Modeling.
    Roche, Philippe ; Gasiot, Gilles ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 4, S. 2079-2088
    Online academicJournal
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