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    Heavy-Ion Testing Method and Results of Normally OFF GaN-Based High-Electron-Mobility Transistor.
    Sauveplane, Jean-Baptiste ; Dufour, Arnaud ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 2488-2495
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    Radiation Hardness Assurance Through System-Level Testing: Risk Acceptance, Facility Requirements, Test Methodology, and Data Exploitation.
    Coronetti, Andrea ; Alia, Ruben Garcia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 958-969
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    Single-Event Latchup in a CMOS-Based ASIC Using Heavy Ions, Laser Pulses, and Coupled Simulation.
    Mauguet, M. ; Andrianjohany, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1516-1522
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    Simplified SEE Sensitivity Screening for COTS Components in Space.
    Garcia Alia, Ruben ; Brugger, Markus ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-02-01), Heft 2, S. 882-890
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    Single Event Upset Sensitivity of D-Flip Flop of Infrared Image Sensors for Low Temperature Applications Down to 77 K.
    Artola, L. ; Hubert, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2979-2987
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    Heavy Ion SEU Cross Section Calculation Based on Proton Experimental Data, and Vice Versa.
    Wrobel, F. ; Touboul, A. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3564-3571
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    Radiation-Induced Dose and Single Event Effects in Digital CMOS Image Sensors.
    Virmontois, Cedric ; Toulemont, Arthur ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3331-3340
    Online academicJournal
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    Single-Event Effects in CMOS Image Sensors.
    Lalucaa, Valerian ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-01), Heft 4, S. 2494-2502
    Online academicJournal
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    Investigation on the Single Event Burnout Sensitive Volume Using Two-Photon Absorption Laser Testing.
    Darracq, Frédéric ; Mbaye, Nogaye ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 999-1006
    Online academicJournal
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    Effects of Ion Species on SEB Failure Voltage of Power DMOSFET.
    Liu, Sandra ; Lauenstein, Jean-Marie ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2991-2997
    Online academicJournal
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    Investigation on the SEL Sensitive Depth of an SRAM Using Linear and Two-Photon Absorption Laser Testing.
    Faraud, E. ; Pouget, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2637-2643
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    SEU Prediction From SET Modeling Using Multi-Node Collection in Bulk Transistors and SRAMs Down to the 65 nm Technology Node.
    Artola, Laurent ; Hubert, Guillaume ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-03), Heft 3, S. 1338-1346
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    Collected Charge Analysis for a New Transient Model by TCAD Simulation in 90 nm Technology.
    Artola, Laurent ; Hubert, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 4, S. 1869-1875
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    Contribution of Latent Defects Induced by High-Energy Heavy Ion Irradiation on the Gate Oxide Breakdown.
    Marinoni, Mathias ; Touboul, Antoine D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-02), Heft 4, S. 2213-2217
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    Probing With Heavy Ions the SET Sensitivity of Linear Devices.
    Duzellier, Sophie ; Inguimbert, Christophe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3321-3327
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