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    Impacts of Proton Radiation on Heavy-Ion-Induced Single-Event Transients in 65-nm CMOS Technology.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 177-183
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Design of 65 nm CMOS SRAM for Space Applications: A Comparative Study.
    Gorbunov, Maxim S. ; Dolotov, Pavel S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1575-1582
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Proton, Electron, and Heavy Ion Single Event Effects on the HAS2 CMOS Image Sensor.
    Beaumel, Matthieu ; Herve, Dominique ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1909-1917
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Radiation-Induced Dose and Single Event Effects in Digital CMOS Image Sensors.
    Virmontois, Cedric ; Toulemont, Arthur ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3331-3340
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A Commercial 65 nm CMOS Technology for Space Applications: Heavy Ion, Proton and Gamma Test Results and Modeling.
    Roche, Philippe ; Gasiot, Gilles ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 4, S. 2079-2088
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Single-Event Transient Sensitivity Evaluation of Clock Networks at 28-nm CMOS Technology.
    Wang, H. B. ; Mahatme, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-02-15), Heft 1b, S. 385-391
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Single Event Effect Induced Multiple-Cell Upsets in a Commercial 90 nm CMOS Digital Technology.
    Lawrence, Reed K. ; Kelly, Andrew T.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3367-3374
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Predicting Muon-Induced SEU Rates for a 28-nm SRAM Using Protons and Heavy Ions to Calibrate the Sensitive Volume Model.
    Trippe, J. M. ; Reed, R. A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-02-01), Heft 2, S. 712-718
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Dual Mode Redundant Approach for Microprocessor Soft Error Hardness.
    Clark, Lawrence T. ; Patterson, Dan W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 3018-3025
    Online academicJournal
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    32 and 45 nm Radiation-Hardened-by-Design (RHBD) SOI Latches.
    Rodbell, Kenneth P. ; Heidel, David F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2702-2710
    Online academicJournal
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    Single Event Effects in PDSOI 4 M SRAM Fabricated in UNIBOND.
    Liu, S. T. ; Heikkila, W. W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 50 (2003-12-01), Heft 6, S. 2095-2100
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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