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    Plasma hydrogenation of strain-relaxed SiGe∕Si heterostructure for layer transfer
    Mantl, S. ; Lau, S. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-11-22), S. 4944-4946
    Online unknown
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    Tensely strained silicon on SiGe produced by strain transfer
    Trinkaus, H. ; Mantl, S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-09-27), S. 2499-2501
    Online unknown
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    Photoluminescence and microstructure of self‐ordered grown SiGe/Si quantum wires
    Bangert, Ursel ; Dieker, C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 67 (1995-09-25), S. 1888-1890
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Band alignment at interfaces of amorphous Al2O3with Ge1−xSnx- and strained Ge-based channels
    Merckling, Clement ; Gencarelli, Federica ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-05-19), S. 202107-202107
    Online unknown
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    Molecular beam deposition of Al2O3 on p-Ge(001)/Ge0.95Sn0.05 heterostructure and impact of a Ge-cap interfacial layer
    Franquet, A. ; Zaima, Shigeaki ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 98 (2011-05-09), S. 192110-192110
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Valence band energy in confined Si1−xGex (0.28<x<0.93) layers
    Stesmans, Andre ; Afanas'ev, Valeri ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-04-27), S. 172106-172106
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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