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    Optically active centers in Si/Si<subscript>1 − x</subscript>Ge<subscript> x</subscript>:Er heterostructures containing Er<superscript>3+</superscript> ions.
    Krasilnikova, L. V. ; Strepikhova, M. V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 43 (2009-07-01), Heft 7, S. 877-884
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    Charge transition level of GeP<subscript>b1</subscript> centers at interfaces of SiO<subscript>2</subscript>/Ge<subscript> x</subscript>Si<subscript>1− x</subscript>/SiO<subscript>2</subscript> heterostructures investigated by positron annihilation spectroscopy.
    Madia, O. ; Segercrantz, N. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 251 (2014-11-01), Heft 11, S. 2211-2215
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Silicon-germanium interdiffusion in high-germanium-content epitaxial heterostructures.
    Ozguven, Nevran ; McIntyre, Paul C.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 92 (2008-05-05), Heft 18, S. 181907-181909
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    On the role and modeling of compressive strain in Si-Ge interdiffusion for SiGe heterostructures.
    Dong, Yuanwei ; Chern, Winston ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 29 (2014), Heft 1, S. 15012-15021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    The processes of erbium impurity excitation in Si/Si<subscript>1−</subscript> <subscript>x</subscript> Ge <subscript>x</subscript> :Er/Si heteroepitaxial structures.
    Krasilnikova, L.V. ; Stepikhova, M.V. ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 35 (2013-05-01), Heft 7, S. 1404-1409
    academicJournal
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    Diameter Dependent Growth Rate and Interfacial Abruptness in Vapor–Liquid–Solid Si/Si1−xGexHeterostructure Nanowires.
    Clark, Trevor E. ; Nimmatoori, Pramod ; et al.
    In: Nano Letters, Jg. 8 (2008-02-28), Heft 4, S. 1246-1252
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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