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    Achieving Low-VT Ni-FUSI CMOS by ultra-thin Dy2O3 capping of hafnium silicate dielectrics
    VELOSO, A ; YU, H. Y ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 11, S. 980-983
    Online academicJournal
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    Tensile-strained germanium CMOS integration on silicon
    ZANG, H ; LOH, W. Y ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 12, S. 1117-1119
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Comparison of MOCVD- and ALD-Deposited HfZrO4 Gate Dielectrics for 32-nm High-Performance Logic SOI CMOS Technologies
    KELWING, Torben ; NAUMANN, Andreas ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 10, S. 1149-1151
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Elimination of poly-Si gate depletion for sub-65-nm CMOS technologies by excimer laser annealing
    HIU YUNG, WONG ; TAKEUCHI, Hideki ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 4, S. 234-236
    Online academicJournal
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    Low-Voltage Steep Turn-On pMOSFET Using Ferroelectric High-κ Gate Dielectric
    CHUN HU, CHENG ; CHIN, Albert
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 2, S. 274-276
    Online academicJournal
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    MOS characteristics of synthesized HfAlON-HfO2 stack using AlN-HfO2
    CHANG SEO, PARK ; BYUNG JIN, CHO ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 25 (2004), Heft 9, S. 619-621
    Online academicJournal
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    MOS characteristics of substituted Al gate on high-κ dielectric
    CHANG SEO, PARK ; BYUNG JIN, CHO ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 25 (2004), Heft 11, S. 725-727
    Online academicJournal
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    Advanced HfTaON/SiO2 gate stack with high mobility and low leakage current for low-standby-power application
    XIONGFEI, YU ; MINGBIN, YU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 6, S. 498-501
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Low-Leakage-Current DRAM-Like Memory Using a One-Transistor Ferroelectric MOSFET With a Hf-Based Gate Dielectric
    CHENG, Chun-Hu ; CHIN, Albert
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 138-140
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Plasma-induced damage in high-k/metal gate stack dry etch
    MUHAMMAD MUSTAFA, HUSSAIN ; SONG, Seung-Chul ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 12, S. 972-974
    Online academicJournal
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    0.86-nm CET gate stacks with epitaxial Gd2O3 high-k dielectrics and FUSI NiSi metal electrodes
    GOTTLOB, H. D. B ; ECHTERMEYER, T ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 10, S. 814-816
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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