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    Non-Volatile Wideband Frequency Tuning of a Ring-Oscillator by Charge Trapping in High-k Gate Dielectric in 22nm CMOS
    Iyer, Subramanian S. ; Nouri, Sepideh
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021), S. 110-113
    Online unknown
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    The Impact of Self-Heating on Charge Trapping in High- <tex-math notation='LaTeX'>$k$ </tex-math>-Metal-Gate nFETs
    J. Campbell Scott ; Iyer, Subramanian S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016), S. 88-91
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Impact of Metal Gate Granularity on Threshold Voltage Variability: A Full-Scale Three-Dimensional Statistical Simulation Study
    Asenov, Asen ; Niza Mohd Idris ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, 2010-11-01
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -