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    Design and Optimization of LNA Amplifier Based on HEMT GaN for X-Band Wireless-Communication and IoT Applications
    Maaref, Hassen ; Gassoumi, M. ; et al.
    In: Silicon, Jg. 13 (2020-08-03), S. 2645-2653
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    The influence of microwave pulse width on the thermal burnout effect of an LNA constructed by a GaAs PHEMT
    Du, Zhengwei ; Yi, Shipeng
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 85 (2018-06-01), S. 140-147
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    InAs/AlSb HEMTs for cryogenic LNAs at ultra-low power dissipation
    Roelens, Yannick ; Dambrine, Gilles ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 64 (2011-10-01), S. 47-53
    Online unknown
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    A 7- to 14-GHz GaAs pHEMT LNA with 1.1 dB noise figure and 26 dB gain
    Peng, Yang‐Yang ; Sui, Wen‐Quan ; et al.
    In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 52 (2010-08-17), S. 2615-2617
    Online unknown
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    Low-power PHEMT MMIC LNA for C-band applications
    Choi Byeong Geon ; You Sang Lee ; et al.
    In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 48 (2005), S. 253-255
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    A 0.75 dB NF LNA in GaAs pHEMT utilizing gate–drain capacitance and gradual inductor
    Hao, Yang ; Shuo, Wang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 36 (2015-07-01), S. 075001-75001
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    InP HEMTs for Sub-mW Cryogenic Low-Noise Amplifiers
    Pourkabirian, Arsalan ; Stenarson, Jörgen ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-07-01), S. 1005-1008
    Online unknown
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    Impact of AlGaN/GaN Interface and Passivation on the Robustness of Low-Noise Amplifiers
    Axelsson, Olle ; Rorsman, Niklas ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-06-01), S. 2297-2303
    Online unknown
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    Study on high power microwave nonlinear effects and degradation characteristics of C-band low noise amplifier
    Qi, An ; Yintang, Yang ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 128 (2022), S. 114427-114427
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Study of microwave damage effect on HEMT low noise amplifier under different drain voltage bias
    Yan, Tao ; Zhang, Yonghua ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 82 (2018-03-01), S. 228-234
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Ku band damage characteristics of GaAs pHEMT induced by a front-door coupling microwave pulse
    Fan, Qingyang ; Yu, Xinhai ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 66 (2016-11-01), S. 32-37
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Damage effects on low noise amplifiers with microwave pulses
    Du, Guangxing ; Wang, Honggang ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 60 (2016-05-01), S. 41-47
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Compact low noise amplifier with high stable gain using distributed CRLH metamaterial
    Yoon, Ki-Cheol ; Kim, Seong-Cheol ; et al.
    In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 58 (2016-04-23), S. 1715-1720
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Analysis of high power microwave induced degradation and damage effects in AlGaAs/InGaAs pHEMTs
    Chai, Changchun ; Fan, Qingyang ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-07-01), S. 1174-1179
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Burnout properties of microwave pulse injected on GaAs PHEMT
    Zhang, Cunbo ; Zhang, Jiande ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-02-01), S. 508-513
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Cryogenic noise performance of InGaAs/InAlAs HEMTs grown on InP and GaAs substrate
    Grahn, Jan ; Rodilla, Helena ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 91 (2014), S. 74-77
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    X-band MMIC low-noise amplifier MMIC on SiC substrate using 0.25-μm ALGaN/GaN HEMT technology
    Chang, Woojin ; Jeon, Gye-Ik ; et al.
    In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 56 (2013-11-25), S. 96-99
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    E-Band Wideband MMIC Receiver Using 0.1 µm GaAs pHEMT Process
    Kwang Seon Kim ; Kim, Bong-su ; et al.
    In: ETRI Journal, Jg. 34 (2012-08-01), S. 485-491
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    HIGH PERFORMANCE V-BAND GAAS LOW NOISE AMPLIFIER WITH MODIFIED COPLANAR WAVEGUIDE EBG TRANSMISSION LINES TECHNOLOGY
    Huang, Fan-Hsiu ; Ke, Po-Yu ; et al.
    In: Progress In Electromagnetics Research C, Jg. 31 (2012), S. 41-52
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    Volltext (PDF)
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A 60-GHz three-stage low noise amplifier using 0.15-μm gallium-arsenic pseudomorphic high-electron mobility transistor technology
    Gong, Jeng ; Chu, Chun-Hsueh ; et al.
    In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 54 (2011-12-15), S. 329-332
    Online unknown
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