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    The Role of Preamorphization and Activation for Ultra Shallow Junction Formation on Strained Si Layers Grown on SiGe Buffer : High-mobility group-IV materials and devices
    Pawlak, B. J. ; Vandervorst, W. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 809 (2004), S. 281-286
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Thermal Migration of Ge During Junction Formation in s-Si Layers Grown on Thin SiGe-Buffer Layers : High-mobility group-IV materials and devices
    Vandervorst, W. ; Pawlak, B. J. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 809 (2004), S. 273-280
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of Junctions Formed in Strained Si/SiGe Substrates : High-mobility group-IV materials and devices
    Eneman, G. ; Simoen, E. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 809 (2004), S. 187-192
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    (Selective) Epitaxial Growth of Strained Si to Fabricate Low Cost and High Performance CMOS Devices : High-mobility group-IV materials and devices
    Loo, R. ; Delhougne, R. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 809 (2004), S. 3-14
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The Use of Ion Implantation and Annealing for the Fabrication of Strained Silicon on Thin SiGe Virtual Substrates : High-mobility group-IV materials and devices
    Buca, D. ; Morschbacher, M. J. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 809 (2004), S. 15-26
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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