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    パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化
    一樹, 永田 ; 宗一, 里本 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 110 (2010-10-01), Heft 261, S. 55-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化
    一樹, 永田 ; 宗一, 里本 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 110 (2010-10-01), Heft 261, S. 55-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
    健, 齋藤 ; 一樹, 永田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-08-01), Heft 171, S. 61-66
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
    健, 齋藤 ; 一樹, 永田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-08-01), Heft 171, S. 61-66
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長
    泰彰, 小前 ; 健, 齋藤 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 108 (2008-10-01), Heft 269, S. 7-12
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長
    泰彰, 小前 ; 健, 齋藤 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 108 (2008-10-01), Heft 269, S. 7-12
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性
    雄一郎, 牧野 ; 仁嗣, 三浦 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 107 (2007-11-01), Heft 325, S. 65-68
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    ホットメッシュCVD法によるGaN成長--ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果
    祐介, 深田 ; 和貴, 安部 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 107 (2007-11-01), Heft 325, S. 55-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性
    雄一郎, 牧野 ; 仁嗣, 三浦 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 107 (2007-11-01), Heft 325, S. 65-68
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    ホットメッシュCVD法によるGaN成長--ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果
    祐介, 深田 ; 和貴, 安部 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 107 (2007-11-01), Heft 325, S. 55-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Hot-mesh CVD法によるAlNバッファー層を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長
    和之, 田村 ; 祐介, 深田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 106 (2006-08-01), Heft 203, S. 37-41
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長
    仁嗣, 三浦 ; 大詩, 栗本 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 106 (2006-08-01), Heft 203, S. 31-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Hot-mesh CVD法によるAlNバッファー層を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長
    和之, 田村 ; 祐介, 深田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 106 (2006-08-01), Heft 203, S. 37-41
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長
    仁嗣, 三浦 ; 大詩, 栗本 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 106 (2006-08-01), Heft 203, S. 31-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Hot-Mesh CVD法によるSi基板上への低温SiCエピタキシャル成長
    大詩, 栗本 ; 淳平, 江藤 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 104 (2004-08-06), Heft 245, S. 61-66
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Hot-Mesh CVD法によるSi熱酸化膜上の(100)配向SiC結晶
    克, 成田 ; 淳平, 江藤 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 104 (2004-08-06), Heft 245, S. 67-72
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Hot-Mesh CVD法によるSi熱酸化膜上の(100)配向SiC結晶
    克, 成田 ; 淳平, 江藤 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 104 (2004-08-06), Heft 245, S. 67-72
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Hot-Mesh CVD法によるSi基板上への低温SiCエピタキシャル成長
    大詩, 栗本 ; 淳平, 江藤 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 104 (2004-08-06), Heft 245, S. 61-66
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    ホットメッシュCVD法によるGaAs(100)上への立方晶GaNの低温成長
    義明, 當摩 ; 充好, 石橋 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 103 (2003-11-10), Heft 411, S. 17-20
    academicJournal
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    ホットメッシュCVD法によるGaAs(100)上への立方晶GaNの低温成長
    義明, 當摩 ; 充好, 石橋 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 103 (2003-11-10), Heft 411, S. 17-20
    academicJournal
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