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    Effect of hydrogen on SiNx films deposited by Cat-CVD method
    Fujinaga, Tetsushi ; Takagi, Makiko ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 516 (2008-01-15), Heft 5, S. 615-617
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Annealing effect of low-temperature (<150°C) Cat-CVD gate dielectric silicon nitride films diluted with atomic hydrogen.
    Keum, Ki-Su ; Lee, Kyoung-Min ; et al.
    In: Journal of the Society for Information Display, Jg. 19 (2011-09-01), Heft 9, S. 623-626
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Chemically bound hydrogen in CVD Si3N4.
    Stein, H. J. ; Wegener, H. A. R.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 124 (1977-06-01), S. 908-912
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Amorphous silicon nitride deposited by hot-wire chemical vapor deposition.
    Liu, Fengzhen ; Ward, Scott ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-09-01), Heft 5, S. 2973-2979
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Effect of hydrogen on passivation quality of SiNx/Si-rich SiNx stacked layers deposited by catalytic chemical vapor deposition on c-Si wafers.
    Thi, Trinh Cham ; Koyama, Koichi ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 575 (2015-01-30), S. 60-63
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Hard and High-Temperature-Resistant Silicon Carbonitride Coatings Based on N-Silyl-Substituted Cyclodisilazane Rings.
    Wrobel, A. M. ; Blaszczyk-Lezak, I. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 155 (2008-04-01), Heft 4, S. K66- (11S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High-efficiency solar cells on edge-defined film-fed grown (18.2%) and string ribbon (17.8%) silicon by rapid thermal processing.
    Rohatgi, A. ; Kim, D. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-01-05), Heft 1, S. 145-147
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Stress development kinetics in plasma-enhanced chemical-vapor-deposited silicon nitride films.
    Hughey, Michael P. ; Cook, Rober F.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 97 (2005-06-01), Heft 11, S. 114914-114914
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    The influence of underlying metals on the hydrogen evolution from plasma-deposited silicon nitride films.
    Kikkawa, Takamaro ; Endo, Nobuhiro
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 71 (1992-01-15), S. 958-965
    Online academicJournal
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    Low hydrogen content stoichiometric silicon nitride films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition.
    Parsons, G. N. ; Souk, J. H. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 70 (1991-08-01), S. 1553-1560
    Online academicJournal
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    Sodium diffusion in plasma-deposited amorphous oxygen-doped silicon nitride (a-SiON:H) films.
    Osenbach, J. W. ; Voris, S. S.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 63 (1988-05-01), S. 4494-4500
    Online academicJournal
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    Hydrogen in low-pressure chemical-vapor-deposited silicon (oxy)nitride films.
    Habraken, F. H. P. M. ; Tijhaar, R. H. G. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 59 (1986-01-15), S. 447-453
    Online academicJournal
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    Effects of rapid thermal anneal on refractive index and hydrogen content of plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon nitride films.
    Cai, L. ; Rohatgi, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-11-01), S. 5384-5388
    Online academicJournal
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    Hydrogen incorporation in silicon nitride films deposited by remote electron-cyclotron-resonance chemical vapor deposition.
    Kotecki, David E. ; Chapple-Sokol, Jonathan D.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 77 (1995-02-01), S. 1284-1293
    Online academicJournal
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    Effect of hydrogen dilution on the properties and bonding in plasma-deposited silicon nitride.
    Rocheleau, Richard E. ; Zhang, Zhe ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 72 (1992-07-01), S. 282-284
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Transparent amorphous silicon channel waveguides with silicon nitride intercladding layer.
    Sun, Rong ; McComber, Kevin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-04-06), Heft 14, S. 141108-141108
    Online academicJournal
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    Passivation of air-exposed AlGaAs using low frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon nitride.
    Jaouad, A. ; Aimez, V.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-08-28), S. 092125-92125
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Improvement of Negative-Bias-Temperature Instability in SiN-Capped p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Using Ultrathin HfO2 Buffer Layer.
    Lu, Ching-Sen ; Lin, Horng-Chih ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 154 (2007-12-01), Heft 12, S. H1036- (5S.)
    academicJournal
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    Hydrogen Passivation of LPCVD Si3N4/SiO2/Si Stacks by Ammonia Plasma Treatment.
    Jin, Hao ; Weber, K. J. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 154 (2007-06-01), Heft 6, S. H430- (5S.)
    academicJournal
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    The Effect of LPCVD Silicon Nitride Deposition on the Si-SiO2 Interface of Oxidized Silicon Wafers.
    Jin, H. ; Weber, K. J.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 154 (2007), Heft 1, S. H5- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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