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    Epitaxial ErSi~2~ ~x on strained and relaxed Si~1~ ~xGe~x : Silicon epitaxy and heterostructures
    Travlos, A. ; Apostolopoulos, G. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING, Jg. B89 (2002), Heft NO 1-3, S. 382-385
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth of relaxed Si~1~ ~xGe~x layers using an oxygen doped Si(O) compliant layer : Silicon epitaxy and heterostructures
    Haq, E. ; Ni, W. X. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING, Jg. B89 (2002), Heft NO 1-3, S. 355-359
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low-temperature solid-phase crystallization of a-Si~1~ ~xGe~x on SiO~2 by ion-beam stimulation : Silicon epitaxy and heterostructures
    Tsunoda, I. ; Nagata, T. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING, Jg. B89 (2002), Heft NO 1-3, S. 336-340
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Step-bunching and strain-effects in Si~1~ ~xGe~x layers and Superlattices grown on vicinal Si(001) : Silicon epitaxy and heterostructures
    Muhlberger, M. ; Schelling, C. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING, Jg. B89 (2002), Heft NO 1-3, S. 257-262
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Super self-aligned technology of ultra-shallow junction in MOSFETs using selective Si~1~ ~xGe~x CVD : Silicon epitaxy and heterostructures
    Yamashiro, T. ; Kikuchi, T. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING, Jg. B89 (2002), Heft NO 1-3, S. 120-124
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Photoluminescence of boron-doped Si~1~ ~xGe~x epilayers grown by UHV-CVD : Silicon epitaxy and heterostructures
    Rowell, N. L. ; Lafontaine, H. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING, Jg. B89 (2002), Heft NO 1-3, S. 141-145
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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