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    Characterization of nitridated layers and their effect on the growth and quality of GaN : III-V nitrides
    Uchida, K. ; Watanabe, A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 135-140
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dependence of the HPVE GaN epilayer on GaN buffer layer for GaN direct growth on (001) GaAs substrate : III-V nitrides
    Tsuchiya, H. ; Takeuchi, A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 333-338
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Gallium incorporation kinetics during gas-source molecular beam epitaxy growth of GaN : III-V nitrides
    Evans, K. R. ; Lei, T. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 339-344
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Stacking mismatch boundaries in GaN: implications for substrate selection : III-V nitrides
    Smith, D. J. ; Tsen, S.-C. Y. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 349-352
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Cubic GaN formation using dimethylhydrazine and an etching method : III-V nitrides
    Yoshida, S. ; Sasaki, M.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 327-332
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Formation and etching of thin nitride layers on GaAs using atomic nitrogen and hydrogen : III-V nitrides
    Makimoto, T. ; Kobayashi, N.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 345-348
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Critical layer thickness of GaN thin layers embedded in GaAs : III-V nitrides
    Sato, M.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 323-326
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Microdisk laser structures formed in III-V nitride epilayers : III-V nitrides
    Zavada, J. M. ; Abernathy, C. R. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 353-357
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Melt-back etching of GaN : III-V nitrides
    Kaneko, Y. ; Yamada, N. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 295-298
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Photolytic absorbate removal during the growth of aluminium nitride by remote microwave plasma chemical vapour deposition : III-V nitrides
    Butcher, K. S. A. ; Tansley, T. L. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 305-314
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    MOCVD growth of InAsN for infrared applications : III-V nitrides
    Naoi, H. ; Naoi, Y. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 319-322
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Influence of the V/III molar ratio on the structural and electronic properties of MOVPE grown GaN : III-V nitrides
    Briot, O. ; Alexis, J. P. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 315-318
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Stimulated emission from rectangular GaN optical waveguides by photo-pumping and stripe design of optical waveguides formed with a selectively grown GaInN/GaN buried heterostructure : III-V nitrides
    Tanaka, T. ; Uchida, K. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 255-262
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Photoemission and core absorption studies of indium nitride : III-V nitrides
    Fukui, K. ; Ichikawa, M. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 299-304
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Photoconductive decay in LCVD/PECVD low temperature grown GaN : III-V nitrides
    Zhou, B. ; Butcher, K. S. A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 279-282
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A study on barrier height of Au-Al~xGa~1~-~xN Schottky diodes in the range 0x̤0̤.20 : III-V nitrides
    Huque Khan, M. R. ; Nakayama, H. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 287-294
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Interplay between growth kinetics and material quality of cubic GaN : III-V nitrides
    Ploog, K. H. ; Brandt, O. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 235-238
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Nitrogen concentration dependence of photoluminescence decay time in GAP~1~-~xN~x alloys : III-V nitrides
    Yaguchi, H. ; Miyoshi, S. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 231-234
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Selective-area regrowth of GaN field emission tips : III-V nitrides
    Underwood, R. D. ; Kapolnek, D. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 243-246
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Theoretical estimation of threshold current of cubic GaInN/GaN/AlGaN quantum well lasers : III-V nitrides
    Nomura, I. ; Kishino, K. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 283-286
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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