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    A 100-Gb/s PAM-4 Voltage-Mode Transmitter With High-Resolution Unsegmented Three-Tap FFE in 40-nm CMOS
    Chen, Y. ; Peng, P. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 5 (2022), S. 218-221
    Online academicJournal
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    A Large-Scale Multimodal CMOS Biosensor Array With 131,072 Pixels and Code-Division Multiplexed Readout
    Hu, K. ; Arcadia, C.E. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 4 (2021), S. 48-51
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    425-to-25-GHz CMOS-Integrated Downconverter
    Momson, I. ; Lee, S. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 4 (2021), S. 80-83
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A 28-GHz Stacked Power Amplifier with 20.7-dBm Output P1dB in 28-nm Bulk CMOS
    Manente, D. ; Padovan, F. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 3 (2020), S. 170-173
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Reflection-Based Short Pulse Generation in CMOS
    Khoeini, F. ; Hadidian, B. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 3 (2020), S. 318-321
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Hybrid THz Imaging System With a 100-Pixel CMOS Imager and a 3.25–3.50 THz Quantum Cascade Laser Frequency Comb
    Smith, T.J. ; Broome, A. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 2 (2019-09-01), Heft 9, S. 151-154
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A Ka-Band Compact Active Switch With Broadband Amplifiers for Phased-Array Transceiver in 65-nm CMOS
    Yang, M. ; Wu, B. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 2 (2019-05-01), Heft 5, S. 33-36
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Buffer-Less Wideband Frequency Doubler in 45-nm CMOS-SOI With Transistor Multiport Waveform Shaping Achieving 25% Drain Efficiency and 46–89 GHz Instantaneous Bandwidth
    Li, S. ; Chi, T. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 2 (2019-04-01), Heft 4, S. 25-28
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A 65-nm CMOS Continuous-Time Pipeline ADC Achieving 70-dB SNDR in 100-MHz Bandwidth
    Manivannan, S. ; Pavan, S.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 4 (2021), S. 92-95
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A 9-bit, 45 mW, 0.05 mm2 Source-Series-Terminated DAC Driver With Echo Canceller in 22-nm CMOS for In-Vehicle Communication
    Ghafarian, H. ; Shivapakash, S. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 4 (2021), S. 10-13
    Online academicJournal
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    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Sub-1-V, 350- $\mu$ W, 6.5-dB Integrated NF Low-IF Receiver Front-End for IoT in 28-nm CMOS
    Kargaran, E. ; Guo, B. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 2 (2019-04-01), Heft 4, S. 29-32
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    New Rectification Technique Employing Auxiliary Rectifier for Resonance Control Achieving Compact Size and High Efficiency in CMOS
    Gyawali, B. ; Pokharel, R.K. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. PP, Heft 99, S. 1-1
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Compact pMOS Stacked-SOI Distributed Power Amplifier With Over 100-GHz Bandwidth and Up to 22-dBm Saturated Output Power
    El-Aassar, O. ; Rebeiz, G.M.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 2 (2019-02-01), Heft 2, S. 9-12
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A Single-Ended Modified Class-E PA With HD2 Rejection for Low-Power RF Applications
    Silva-Pereira, M. ; Caldinhas Vaz, J.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 1 (2018), Heft 1, S. 22-22
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A VCO With Robust Implicit Common-Mode Resonance Against Nonideal Decoupling Network
    Xu, D. ; Sun, Z. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 7 (2024), S. 171-174
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 1.5-GHz Fully Integrated DC–DC Converter Based on Electromagnetically Coupled Class-D LC Oscillators and Resonant LC Flying Impedance Achieving 4.1-W/mm2 Peak Power Density and 77% Peak Efficiency
    Novello, A. ; Atzeni, G. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 7 (2024), S. 38-41
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Digital Evolution of the Quadrature Balanced Power Amplifier Transceiver for Full Duplex Wireless Operation
    Ginzberg, N. ; Regev, D. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 3 (2020), S. 434-437
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Compact and PVT-Robust Segmented Duty-Cycled Resistor Realizing TΩ Impedances for Neural Recording Interface Circuits
    Livanelioglu, C. ; Choi, W. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 6 (2023), S. 25-28
    Online academicJournal
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    A Single-Ended Duobinary-PAM4 (PAM7) Transmitter With a 2-Tap Feed-Forward Equalizer
    Park, S. ; Kim, J. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 6 (2023), S. 141-144
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A 15.5-ENOB 335 mVPP-Linear-Input-Range 4.7-GΩ-Input-Impedance CT-ΔΣM Analog Front-End With Embedded Low-Frequency Chopping
    Li, Y. ; Zhi, W. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 6 (2023), S. 265-268
    Online academicJournal
    Zugriff:
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