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471 Treffer

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    Analysis and Design of a 6-18 GHz Multi-Stage Wideband GaN LNA with 16.5 dBm OP1dB and over 42 dBm Survivability
    Nguyen, Nam ; Lee, Sanghun ; et al.
    In: 2023 International Symposium on Electrical and Electronics Engineering (ISEE), 2023-10-19, S. 17-22
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    X-Band CMOS Rectifier With 4% Efficiency at −35 dBm for Wireless Power Transmission
    Buhr, T. ; Karsilayan, A.I. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 11 (2023), S. 6792-6801
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    A 29.5 dBm OOB IIP3 TIA Based on a Two-Stage Pseudo-Differential OTA With R-C Compensation and Cascode Negative Resistance
    Tao, C. ; Lei, L. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 11 (2023), S. 24343-24352
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A 150 GHz Lens-Free Large FoV Regenerative 2 × 2 Transceiver Array With 31% DC-to-EIRP Efficiency and −70 dBm Sensitivity for a 70 cm Bidirectional Peer-to-Peer Link
    Garay, E.F. ; Munzer, D.J. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-07-01), Heft 7, S. 2102-2113
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A 1.7–3.6 GHz 20 MHz-Bandwidth Channel-Selection N-Path Passive-LNA Using a Switched-Capacitor-Transformer Network Achieving 23.5 dBm OB-IIP₃ and 3.4–4.8 dB NF
    Shao, H. ; Qi, G. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-02-01), Heft 2, S. 413-422
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A Highly Linear and Efficient 28-GHz PA With a Psat of 23.2 dBm, P1 dB of 22.7 dBm, and PAE of 35.5% in 65-nm Bulk CMOS
    Asoodeh, A. ; Lavasani, H.M. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-03-01), Heft 3, S. 914-927
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A Reconfigurable Non-Uniform Power-Combining V-Band PA With +17.9 dBm Psat and 26.5% PAE in 16-nm FinFET CMOS
    Chu, K. ; Callender, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-05-01), Heft 5, S. 1502-1513
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    An 0.4–2.8 GHz CMOS Power Amplifier With On-Chip Broadband-Pre-Distorter (BPD) Achieving 36.1–38.6% PAE and 21 dBm Maximum Linear Output Power
    Mariappan, S. ; Rajendran, J. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 48831-48840
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    An 18 dBm 155-180 GHz SiGe Power Amplifier Using a 4-Way T-Junction Combining Network
    Kucharski, Maciej ; Ng, Herman Jalli ; et al.
    In: ESSCIRC 2019 - IEEE 45th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC), 2019-09-01, S. 333-336
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Transformer-Coupled D-Band PA with 11.8 dBm $\mathrm{P}_{\mathrm{sat}}$ and 6.3 % PAE in $0.13 \mu \mathrm{m}$ SiGe BiCMOS
    Romstadt, Justin ; Lammert, Vincent ; et al.
    In: 2020 IEEE 20th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), 2020, S. 77-80
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Design of 35-dB 0.03-to-2.7 GHz Two-Stage Broadband Power Amplifier With 37.2 dBm Psat Using Modular Technology
    Hu, J. ; Chen, X. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 142328-142339
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 50–450 MHz Tunable RF Biquad Filter Based on a Wideband Source Follower With > 26 dBm IIP$_{3}$, +12 dBm P$_{1{\rm dB}}$, and 15 dB Noise Figure
    Lee, I. Y. ; Im, D. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 50 (2015-10-01), Heft 10, S. 2294-2305
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 40–67 GHz Power Amplifier With 13 dBm ${\rm P}_{\rm SAT}$ and 16% PAE in 28 nm CMOS LP
    Bassi, M. ; Zhao, J. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 50 (2015-07-01), Heft 7, S. 1618-1628
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 1 GHz 1.3 dB NF +13 dBm output P1dB SOI CMOS low noise amplifier for SAW-less receivers
    Kim, Bum-Kyum ; Im, Donggu ; et al.
    In: 2012 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, 2012-06-01, S. 9-12
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 60GHz power amplifier with 12.1 dBm & P1dBCP in 0.18um SiGe BiCMOS process
    Lim, Wei Meng ; Gu, Jiangmin ; et al.
    In: 2013 International SoC Design Conference (ISOCC), 2013-11-01, S. 138-141
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A fully-integrated K-band CMOS power amplifier with Psat of 23.8 dBm and PAE of 25.1 %
    Kawano, Yoichi ; Mineyama, Akiko ; et al.
    In: 2011 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, 2011-06-01, S. 1-4
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A +21.2 dBm out-of-band IIP3 0.2-3GHz RF front-end using impedance translation technique
    Chen, Long ; Wang, Chuan ; et al.
    In: 2012 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2012-05-01, S. 468-471
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 65 nm CMOS 30 dBm Class-E RF Power Amplifier With 60% PAE and 40% PAE at 16 dB Back-Off
    Apostolidou, M. ; van der Heijden, M. P. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 44 (2009-05-01), Heft 5, S. 1372-1379
    Online academicJournal
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    Volltext
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A 183 GHz Desensitized Unbalanced Cascode Amplifier With 9.5-dB Power Gain and 10-GHz Band Width and −2 dBm Saturation Power
    Khatibi, H. ; Khiyabani, S. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 1 (2018-03-01), Heft 3, S. 58-58
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A 1-V +31 dBm IIP3, Reconfigurable, Continuously Tunable, Power-Adjustable Active-RC LPF
    Amir-Aslanzadeh, H. ; Pankratz, E. J. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 44 (2009-02-01), Heft 2, S. 495-508
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
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