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    GaN crystals growth in the Na-Li-Ca flux by liquid phase epitaxy (LPE) technique
    Hao, Hangfei ; Xu, Zhuo ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 521 (2019-09-01), S. 30-33
    Online unknown
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    2D nanosheets from fool’s gold by LPE: High performance lithium-ion battery anodes made from stone
    Tian, Ruiyuan ; Kaur, Harneet ; et al.
    In: FlatChem, Jg. 30 (2021-11-01), S. 100295-100295
    Online unknown
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    Growth of high purity InGaAs LPE layers and their characterization
    Fornuto, Gerardo ; Chen, Ru-Chang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 102 (1990-05-01), S. 477-480
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Liquid phase epitaxy (LPE) of GaN on c- and r-faces of AlN substrates
    Meissner, Elke ; Azizi, Maral ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 322 (2011-05-01), S. 74-77
    Online unknown
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    Scintillation and luminescent properties of undoped and Ce3+ doped Y2SiO5 and Lu2SiO5 single crystalline films grown by LPE method
    Mares, Jiri ; Gorbenko, V.V. ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 34 (2012-10-01), S. 1969-1974
    Online unknown
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    Structural characterization of AlxGa1−xSb grown by LPE
    G. Juárez Díaz ; Martínez-Juárez, J. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 15 (2012-10-01), S. 472-479
    Online unknown
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    LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures
    Prochazkova, O. ; Zavadil, J. ; et al.
    In: Materials Science and Engineering: B, Jg. 165 (2009-11-01), S. 94-97
    Online unknown
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    Investigations on the growth and morphology of TiO2 in the TiO2–Na2B4O7 system with and without impurities using a new LPE method
    Yasui, Itaru ; Sunagawa, Ichiro ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 231 (2001-09-01), S. 186-193
    Online unknown
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    High purity GaSb grown by LPE in a sapphire boat
    Olvera-Hernández, J. ; Navarro-Contreras, Hugo R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 208 (2000), S. 27-32
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    The effects of solvent and dopant impurities on the performance of LPE silicon solar cells
    Shi, Zhengrong ; Bergmann, Ralf B. ; et al.
    In: Solar Energy Materials and Solar Cells, 1996-06-01, S. 53-60
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    AFM observation of the SnO2(110) bunching step structure formed in high-temperature LPE growth
    Utsuno, Futoshi ; Yasui, Itaru ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 244 (2002-10-01), S. 173-177
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    MoO3–Li2O flux LPE growth of YIG films and its characterization
    Fujii, T. ; Masaru, Fujino ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, 2002-04-01, S. 725-729
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    LPE InP layers grown in the presence of rare-earth elements
    Zavadil, J. ; Prochazkova, O. ; et al.
    In: Materials Science and Engineering: B, Jg. 80 (2001-03-01), S. 14-17
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    LBIC characterization of LPE Si layers deposited on multicrystalline Si sub strates
    Stemmer, M. ; Martinuzzi, S. ; et al.
    In: Materials Science and Engineering: B, Jg. 42 (1996-12-01), S. 153-156
    Online unknown
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    Effect of crucible materials on impurities in LPE-GaAs
    Alexiev, Dimitri ; Mo, L. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 160 (1996-03-01), S. 7-12
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Origin and evolution of background impurity content of materials used in the preparation of (Hg, Cd) Te LPE layers on CdTe substrates
    Möck, P. ; Boeck, T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 118 (1992-03-01), S. 204-212
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Photoluminescence of GaAs layers hybrid-grown on Si by MBE and LPE
    Unno, T. ; Yazawa, Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 115 (1991-12-01), S. 519-523
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    nonconserving transition in heavily doped LPE grown n-type In0.5Ga0.5P
    Lee, H. J. ; Chung, Chan-Hwa ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 82 (1992-04-01), S. 7-12
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Gettering properties of PrO2 in In0.53Ga0.47As LPE growth
    Kuliffayová, M. ; Hasenöhrl, Stanislav ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 110 (1991-04-01), S. 862-866
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Influence of the solute convection on InGaSb LPE layers on vertically mounted GaSb substrates
    Torimoto, Y. ; Yamashita, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 128 (1993-03-01), S. 159-162
    Online unknown
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