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    Investigation of microstructure and V-defect formation inInxGa1-xN/GaN MQW grown using temperature-gradient MOCVD
    Bourret-Courchesne, E
    2004
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in SciTech Connect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Effect of GaN template layer strain on the growth of InxGa1-xN/GaN MQW light emitting diodes
    Williams, J
    2004
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in SciTech Connect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Influence of p-GaN annealing on the optical and electrical properties of InGaN/GaN MQW LEDs
    LI, SUN ; WENG, Guo-En ; et al.
    In: Physica. E, low-dimentional systems and nanostructures, Jg. 60 (2014), S. 166-169
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The dependence of the emission from MQWs on the indium content in the underlying InGaN templates: experimental and modeling results.
    Abdelhamid, Mostafa ; Routh, Evyn L ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 36 (2021-03-01), Heft 3, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    MOVPE growth of InGaAs/GaAsP-MQWs for high-power laser diodes studied by reflectance anisotropy spectroscopy
    BUGGE, F ; ZORN, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 4, S. 1065-1069
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Influence of MOVPE growth temperature on the structural and optical properties of InGaN MQW laser diodes
    HOFFMANN, V ; KNAUER, A ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 21, S. 4525-4530
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dynamics of double-peak photoluminescence in m-plane InGaN/GaN MQWs.
    Mickevičius, J. ; Valkiūnaitė, E. ; et al.
    In: Journal of Luminescence, Jg. 257 (2023-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The Influence Mechanism of Quantum Well Growth and Annealing Temperature on In Migration and Stress Modulation Behavior.
    Yan, Luyi ; Liang, Feng ; et al.
    In: Nanomaterials (2079-4991), Jg. 14 (2024-04-15), Heft 8, S. 703-713
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    serialPeriodical
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Researchers from Shaanxi University of Science and Technology Detail Findings in Engineering (Effect of Indium Composition On the Microstructural Properties and Performance of Ingan/gan Mqws Solar Cells)
    In: Journal of Engineering, 2020-02-24, S. 2867
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Researchers at Hewlett Packard Enterprise Co. Release New Study Findings on Light Science (III/V-on-Si MQW lasers by using a novel photonic integration method of regrowth on a bonding template)
    In: Science Letter, 2019-11-01, S. 1609
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Correlation between growth interruption and indium segregation in InGaN MQWs.
    Dmukauskas, M. ; Mickevičius, J. ; et al.
    In: Journal of Luminescence, Jg. 221 (2020-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Improvement of the Efficiency of InGaN–GaN Quantum-Well Light-Emitting Diodes Grown With a Pulsed-Trimethylindium Flow Process
    Hsueh, T. H. ; Sheu, J. K. ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 21 (2009-04-01), Heft 7, S. 414-416
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Strain control and its effect on the optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells.
    Wang, Yachen ; Yang, Jing ; et al.
    In: Journal of Luminescence, Jg. 266 (2024-02-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Electrical characterization of the AIIIBV-N heterostructures by capacitance methods
    STUCHLIKOVA, Lubica ; HARMATHA, Ladislav ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 269 (2013), S. 175-179
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Effect of GaN template layer strain on the growth of InxGa1-xN/GaN MQW light emitting diodes
    Johnson, M. C. ; Bourret-Courchesne, E. D. ; et al.
    In: Journal Name: Journal of Applied Physics; Journal Volume: 96, 2004
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Investigation of microstructure and V-defect formation inInxGa1-xN/GaN MQW grown using temperature-gradient MOCVD
    Johnson, M. C. ; Liliental-Weber, Z. ; et al.
    In: Journal Name: Journal of Electronic Materials, 2004
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Optimization of InGaN-GaN MQW Photodetector Structures for High-Responsivity Performance.
    Pereiro, Juan ; Rivera, Carlos ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 45 (2009-06-01), Heft 5/6, S. 617-622
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A Structural Study of InGaAs/InGaAs Strain-Balanced MQW for TPV Applications.
    Tundo, S. ; Mazzer, M. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 653 (2003-01-25), Heft 1, S. 201-209
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Improved Performance of GaN-Based Blue LEDs With the InGaN Insertion Layer Between the MQW Active Layer and the n-GaN Cladding Layer.
    Jang, Chung-Hsun ; Sheu, Jinn-Kong ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 46 (2010-04-01), Heft 2/3, S. 513-517
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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