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    TiNCl formation during low-temperature, low-pressure chemical vapor deposition of TiN
    HEGDE, R. I ; FIORDALICE, R. W ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 19, S. 2326-2328
    Online academicJournal
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    Integration of low-temperature GaAs on Si substrates
    FRANKEL, M. Y ; TADAYON, B ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 3, S. 255-257
    Online academicJournal
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    Formation of extremely low resistance Ti/Pt/Au ohmic contacts to p-GaAs
    STAREEV, G
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 22, S. 2801-2803
    Online academicJournal
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    Low temperature synthesis of boron nitride from condensed diborane and ammonia using synchroton radiation
    STRONGIN, D. R ; MOWLEM, J. K ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 20, S. 2560-2563
    Online academicJournal
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    Electrical properties of InP grown by gas-source molecular beam epitaxy at low temperature
    LIANG, B. W ; LEE, P. Z ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 17, S. 2104-2106
    Online academicJournal
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    Structural and electrical properties of BaTiO3 thin films grown on p-InSb substrate by metalorganic chemical vapor deposition at low temperature
    KIM, T. W ; JUNG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 15, S. 1788-1790
    Online academicJournal
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    Positive charge and interface state creation at the Si-SiO2 interface during low-fluence and high-field electron injections
    ABDELLAH, MIR ; VUILLAUME, D
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 10, S. 1125-1127
    Online academicJournal
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    Low-energy oxygen ion bombardment effect on BaTiO3 thin films grown by multi-ion-beam reactive sputtering technique
    PENG, C.-J ; HU, H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 6, S. 734-736
    Online academicJournal
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    Growth of GaAsN alloys by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition using plasma-cracked NH3
    WEYERS, M ; SATO, M
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 12, S. 1396-1398
    Online academicJournal
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    Gas phase reactions of trimethylamine alane in low pressure organometallic vapor phase epitaxy of AlGaAs
    PITTS, B. L ; EMERSON, D. T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 15, S. 1821-1823
    Online academicJournal
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    Electrical conduction in low temperature grown InP
    KHIROUNI, K ; MAAREF, H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 25, S. 3315-3317
    Online academicJournal
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    Admittance spectroscopy characterization of InP/InGaAsP single quantum wells grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition
    ZHAO, J. H ; LU, Z ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 22, S. 2810-2812
    Online academicJournal
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    X-ray damage in low temperature ultrathin silicon dioxide
    LEE, K. H ; CAMPBELL, S. A ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 14, S. 1635-1637
    Online academicJournal
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    Low pressure metalorganic chemical vapor deposition of AIN over sapphire substrates
    ASIF KHAN, M ; KUZNIA, J. N ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 21, S. 2539-2541
    Online academicJournal
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    Extremely low resistivity, high electron concentration ZnSe grown by planar-doping method
    ZIQIANG, ZHU ; MORI, H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 23, S. 2811-2813
    Online academicJournal
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    Sharp-line photoluminescence of GaAs grown by low-temperature molecular beam epitaxy
    YU, P. W ; REYNOLDS, D. C ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 12, S. 1432-1434
    Online academicJournal
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    Photoquenching of hopping conduction in low-temperature-grown molecular-beam-epitaxial GaAs
    FANG, Z.-Q ; LOOK, D. C
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 12, S. 1438-1440
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    New approach to the preparation of ultrathin silicon dioxide films at low temperatures
    XUEPING, XU ; GODMAN, D. W
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 7, S. 774-776
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    Material properties of Ga0.47In0.53 as grown on InP by low-temperature molecular beam epitaxy
    KÜNZEL, H ; BÖTTCHER, J ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 11, S. 1347-1349
    Online academicJournal
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    Low-temperature preparation of SiO2/Si(100) interfaces using a two-step remote plasma-assisted oxidation-deposition process
    YASUDA, T ; MA, Y ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 4, S. 434-436
    Online academicJournal
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