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342 Treffer

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    Comparative study of LPE and VPE silicon thin film on porous sacrificial layer
    FAVE, A ; QUOIZOLA, S ; et al.
    In: Proceedings of Symposium D on Thin Film and Nano-Structured Materials for Photovoltaics, Jg. 451-52 (2004), S. 308-311
    Konferenz
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    Lattice mismatched LPE growth of InGaP on patterned InP substrate
    KANEKO, M ; NAKAYAMA, S ; et al.
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 37 (2002), Heft 2-3, S. 177-182
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    InGaP lattice-mismatched LPE growth on GaAs substrates by epitaxial lateral overgrowth technique
    NAKAYAMA, S ; KANEKO, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 236 (2002), Heft 1-3, S. 132-136
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    K-nonconserving transition in heavily doped LPE grown n-type In0.5Gao.5P
    JEONG, B. S ; CHOI, J. S ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 82 (1992), Heft 1, S. 7-12
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Controlled p-type Sb doping in LPE-grown Hg1-xCdxTe epilayers
    HARMAN, T. C
    In: Journal of electronic materials, Jg. 22 (1993), Heft 9, S. 1165-1172
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    The back-side morphology of LPE-grown AlGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructures after the complete removal of the GaAs substrate by selective etching
    BOLKHOVITYANOV, Y. B ; HAIRI, E. H ; et al.
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 27 (1992), Heft 4, S. 471-475
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Photoluminescence of LPE-grown InAs1-x-ySbxPy for 2.55 μm lasers
    KRIER, A ; ROWE, D. R
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 13 (1992), Heft 4-5, S. 225-231
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    LPE growth of Ga1-xInxSb multi-grading layers
    GONG, XIUYING ; OKITSU, K ; et al.
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 27 (1992), Heft 5, S. 609-616
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Gettering properties of praseodymium in InGaP LPE growth
    LAI, M. Z ; CHANG, L. B
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 27 (1992), Heft 5, S. 623-627
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Determination of the Np and pP heterojunction quality in AlxGa1-xAs LPE-grown double heterostructures from the capacitance measurements
    PUZIN, I. B ; PHYLIPTCHENKO, V. YA ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 7 (1992), Heft 4, S. 529-535
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    On the peculiarities of the short-time (tg < 10 ms) solid solution LPE growth onto the moving substrate
    GARBUZOV, D. Z ; ZHURAVKEVICH, E. V ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 110 (1991), Heft 4, S. 955-959
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Gettering properties of PrO2 in In0.5.Ga0.47As LPE growth
    NOVAK, J ; HASENOHRL, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 110 (1991), Heft 4, S. 862-866
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Real-time measurement of LPE growth rate in GaP
    INATOMI, Y ; KURIBAYASHI, K
    In: Journal of crystal growth, Jg. 114 (1991), Heft 3, S. 380-388
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Novel surface preservation technique for large area growth of (100) InP substrate by LPE
    TRAN, D ; LEE, H. C ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 113 (1991), Heft 1-2, S. 16-20
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Investigation of LPE Ga1-xAlxAs/GaAs laser structures by double crystal diffractometry
    BOCCHI, C ; FERRARI, C ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 113 (1991), Heft 3-4, S. 540-548
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Growth of Hg1-xCdxTe heterolayers by slider LPE using separate compensating atmosphere of mercury
    CHEN, J. S ; WU, Y. L ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 113 (1991), Heft 3-4, S. 520-526
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Donor gettering of LPE (liquid-phase-epitaxy)InGaAsP layers in the presence of Er
    MENG-CHYI, WU ; EN-HSING, CHEN ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 11A, S. 2679-2682
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Diffusion limited LPE growth of GaxIni1-xP on (100) GaAs
    DOBOSZ, D ; ZYTKIEWICZ, Z. R
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 128 (1991), Heft 1, S. 123-127
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Crystalline quality of extremely-low-temperature-grown LPE-GaSb
    KITAMURA, N ; UEKITA, H ; et al.
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 10 (1991), Heft 9-10, S. 417-420
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    LPE growth and phase stability of In1-xGaxP at 740C
    CHOI, J. S ; LYOU, H. S ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 125 (1991), Heft 1, S. K27- (4S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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