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    HWE growth and evaluation of CdTe epitaxial films on GaAs
    WANG, J. F ; KIKUCHI, K ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 187 (1998), Heft 3-4, S. 373-379
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Crystal structure and electrical parameters of In-doped PbTe/Si films prepared by modified HWE technique
    SAMOYLOV, A. M ; KHOVIV, A. M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 254 (2003), Heft 1-2, S. 55-64
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Strain in the HWE-grown ZnTe/(100) GaAs hetero-interface
    KIM, B. J ; WANG, J. F ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 235 (2002), Heft 1-4, S. 201-206
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A twinned PbTe film induced by the 7 × 7 reconstruction of Si(111)
    CHEN, H. Y ; DONG, S. S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 273 (2004), Heft 1-2, S. 156-160
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterizations of arsenic-doped zinc oxide films produced by atmospheric metal-organic chemical vapor deposition
    WENG, Li-Wei ; UEN, Wu-Yih ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 277 (2013), S. 1-6
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Heteroepitaxial growth of GaAs on Si by MOVPE using a-GaAs/a-Si double-buffer layers
    UEN, Wu-Yih ; LI, Zhen-Yu ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 295 (2006), Heft 2, S. 103-107
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth and characterization of CuAlSe2(112)/GaAs(100) heteroepitaxial layers grown by hot wall epitaxy method
    YOU, S. H ; HONG, K. J ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 290 (2006), Heft 1, S. 18-23
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Hot wall epitaxy of high-quality CdTe/Si(111)
    LALEV, Georgi M ; JIFENG, WANG ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 256 (2003), Heft 1-2, S. 20-26
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The 60° or 180° twinned Bi-doped PbTe film studied by EBSD
    REN, S. Y ; YANG, Y. K ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 257 (2010), Heft 1, S. 271-275
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improvement of the structural and electrical properties of InAsSb epilayer using Sb-rich InAsSb buffer layer grown by hot wall epitaxy
    NAKAMURA, S ; JAYAVEL, P ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 280 (2005), Heft 1-2, S. 26-31
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Mechanisms of spiral growth in Bi2Te3 thin films grown by the hot-wall-epitaxy technique
    FERHAT, Marhoun ; TEDENAC, Jean Claude ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 218 (2000), Heft 2-4, S. 250-258
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    GaAs substrate thermal preheating effect exerted on ZnTe epilayer
    SUNGUN, NAM ; YU, Y.-M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 212 (2000), Heft 3-4, S. 416-422
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Study of the band offset for ZnSe(100)/GaAs(100) heterojunctions grown by hot wall epitaxy
    YI, YANG ; YUKUN, YANG ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 158 (1996), Heft 4, S. 455-458
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial growth of ZnSe/GaAs(100) by hot wall epitaxy
    LEE, C.-H ; CHOI, Y.-D ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 167 (1996), Heft 3-4, S. 473-477
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Comparative studies between the growth characteristics of Bi2Te3 thin films deposited on SiO2, Si(100) and Si(111)
    FERHAT, M ; LIAUTARD, B ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 167 (1996), Heft 1-2, S. 122-128
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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