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    High spatial resolution direct conversion amorphous selenium X-ray detectors with monolithically integrated CMOS readout
    Han, Z. ; Mukherjee, A. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 18 (2023-04-01), S. P04021
    Online unknown
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    Development of CMOS dosimetry in proton minibeams for enhanced QA and primary standard absorbed dose calorimetry
    Flynn, Samuel ; Allport, Philip ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 18 (2023-03-01), S. P03014
    Online unknown
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    Total ionizing dose effects on ring-oscillators and SRAMs in a commercial 28 nm CMOS technology
    Borghello, G. ; Bergamin, G. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 18 (2023-02-01), S. C02003
    Online unknown
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    Single-event effects calibration using two-photon absorption and a CMOS image sensor
    Blommaert, D. ; Leroux, P. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 18 (2023-02-01), S. C02043
    Online unknown
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    Fab-to-fab and run-to-run variability in 130 nm and 65 nm CMOS technologies exposed to ultra-high TID
    Termo, G. ; Borghello, G. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 18 (2023), S. C01061
    Online unknown
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    Design and preliminary results of a shunt voltage regulator for a HV-CMOS sensor in a 150 nm process
    Powell, S. ; Hammerich, J. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 18 (2023), S. C01009
    Online unknown
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    Characterization of a large-area full-field X-ray fluorescence imaging system based on a commercial full-frame CMOS camera
    Ouyang, X. ; Chen, Zuyao ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 16 (2021-10-01), S. P10031
    Online unknown
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    High spatial resolution neutron detection technique based on Commercial Off-The-Shelf CMOS image sensors covered with NaGdF_4 nanoparticles
    M. Gómez Berisso ; Lipovetzky, Jose ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 16 (2021-08-01), S. P08008
    Online unknown
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    Prototype of simultaneous bidirectional data-transmitter in 65 nm CMOS
    Krüger, Hans ; Kishishita, T.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 16 (2021-06-01), S. T06002
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Analog IP blocks in 28 nm CMOS for the high energy physics community: SLVS transmitter and receiver
    Bandi, F. ; Ballabriga, R. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 18 (2023), S. C01039
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Characterization of 3.2 Gbps readout in 65 nm CMOS technology
    Jirsa, J. ; Gecnuk, J. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 18 (2023), S. C01055
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Design and readout architecture of a monolithic binary active pixel sensor in TPSCo 65 nm CMOS imaging technology
    Cecconi, L. ; Piro, F. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 18 (2023-02-01), S. C02025
    Online unknown
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    A 12-bit 30 MS/s SAR ADC in 180 nm CMOS for PMT signal readout
    Zhou, S. ; Liu, S. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 16 (2021-06-01), S. P06002
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Development of low noise pixels and readout architectures for scientific applications in a 180 nm CMOS image sensor process
    Sedgwick, I. ; Benhammadi, S. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 17 (2022-11-01), S. C11007
    Online unknown
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    A detailed simulation study on the effect of energy and angle of incidence for low energy protons on Single Event Upsets induced in nanometer CMOS SRAM
    G R Raisali ; Moslehi, A. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 16 (2021-03-09), S. P03015
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High-performance HV-CMOS sensors for future particle physics experiments — an overview
    Zhang, C. ; Casse, G. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 17 (2022-09-01), S. C09025
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Complex field verification using a large area CMOS MAPS upstream in radiotherapy
    Pritchard, Jordan L ; Velthuis, Jaap J ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 17 (2022-08-01), S. C08018
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Research on a back-illuminated CMOS sensor for LUV imaging
    Liu, W. ; Ji, L. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 17 (2022-08-01), S. T08004
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Neutron induced noise degradation of ASICs in 350 nm CMOS technology
    Yaoguang, Liu ; Ying, Zhang ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 15 (2020-10-19), S. T10005
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Radiation induced degradation in a 150-nm CMOS SPADs device
    Sarnelli, Ettore ; Campajola, M. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 15 (2020-08-17), S. C08017
    Online unknown
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