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    A Study on the Isolation Ability of <u>LOC</u>al <u>O</u>xidation of <u>SiC</u> (LOCOSiC) for 4H-SiC CMOS Process
    Chia Lung Hung ; Yu Xin Wen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), S. 6644-6647
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    Mechanism Analysis and Thermal Damage Prediction of High-Power Microwave Radiated CMOS Circuits
    Wu, Han ; Liang, Qi-Shuai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 21 (2021-09-01), S. 444-451
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    3-D CMOS Chip Stacking for Security ICs Featuring Backside Buried Metal Power Delivery Networks With Distributed Capacitance
    Miura, Noriyuki ; Okidono, Takaaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 2077-2082
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    Reconfigurable MoTe2 Field-Effect Transistors and its Application in Compact CMOS Circuits
    Chen, Jing ; Wu, Xiao-Ming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), S. 4748-4753
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    A 1.8 V high-speed 8-bit hybrid DAC with integrated rail-to-rail buffer amplifier in CMOS 180 nm
    Rosli, Alia ; Marzuki, Arjuna ; et al.
    In: Microelectronics International, Jg. 38 (2021-05-18), S. 46-54
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    The Impact of Holding Voltage of Transient Voltage Suppressor (TVS) on Signal Integrity of Microelectronics System With CMOS ICs Under System-Level ESD and EFT/Burst Tests
    Shen, Yu-Shu ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2152-2159
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    Study on CDM ESD Robustness Among On-Chip Decoupling Capacitors in CMOS Integrated Circuits
    Huang, Yi-Chun ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 881-890
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    The Impact of LCE and PAMDLE Regarding Different CMOS ICs Nodes and High Temperatures
    Salvador Pinillos Gimenez ; Renaux, Christian ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 415-423
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    Integrated Digital and Analog Circuit Blocks in a Scalable Silicon Carbide CMOS Technology
    Romijn, Joost ; May, Alexander ; et al.
    2022
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    Performance comparison of RF energy harvesting rectifiers designed in CMOS FDSOI 28 nm with dynamic back gate biasing and BiCMOS 55 nm technology
    Benech, Philippe ; Duchamp, Jean-Marc ; et al.
    In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 63 (2021-01-22), S. 1411-1415
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    $\pi$ -SCR Device for Broadband ESD Protection in Low-Voltage CMOS Technology
    Lai, Yu-Hsuan ; Lin, Chun-Yu
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-09-01), S. 4107-4110
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    A Low-Power CMOS Current Reference for Piezoelectric Energy Harvesters
    Karlsen, Haakon ; Li, Ping ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-08-01), S. 3403-3410
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    Design for High Reliability of CMOS IC With Tolerance on Total Ionizing Dose Effect
    Lee, Minwoong ; Lee, Nam-Ho ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-06-01), S. 459-467
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    Carbon Nanotube-Based CMOS SRAM: 1 kbit 6T SRAM Arrays and 10T SRAM Cells
    Shulaker, Max M. ; Lau, Christian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), S. 5375-5380
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    Using Schottky Barrier Diode to Improve Latch-Up Immunity for CMOS ICs Operating With Negative Voltage Sources
    Chang, Rong-Kun ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-03-01), S. 395-397
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    Design of bioinspired tripartite synapse analog integrated circuit in 65-nm CMOS Technology
    Moezzi, Mohsen ; Tir, Shohreh ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 19 (2020-05-18), S. 1313-1328
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    ESD Protection Design for Open-Drain Power Amplifier in CMOS Technology
    Lin, Chun-Yu ; Li, Guan-Yi
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 19 (2019-12-01), S. 782-790
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    Extracting a Logic Gate Network from a Transistor-Level CMOS Circuit
    Cheremisinov, Dmitry I. ; Cheremisinova, Liudmila D.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-05-01), S. 187-196
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    Optimization Design on Active Guard Ring to Improve Latch-Up Immunity of CMOS Integrated Circuits
    Ker, Ming-Dou ; Chen, Chun-Cheng
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-04-01), S. 1648-1655
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    A macro model of RF Schottky diode in 22-nm CMOS and its application
    Jiang, Yanfeng ; Yu, Pingping ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 154 (2019-04-01), S. 7-11
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