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    Ring oscillators for CMOS process tuning and variability control
    BHUSHAN, Manjul ; GATTIKER, Anne ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 19 (2006), Heft 1, S. 10-18
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Materials and device structures for sub-32 nm CMOS nodes
    SKOTNICKI, Thomas
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 1845-1852
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High Temperature Characterization up to 450°C of MOSFETs and Basic Circuits Realized in a Silicon-on-Insulator (SOI) CMOS Technology
    GRELLA, K ; DREINER, S ; et al.
    In: Journal of microelectronics and electronic packaging, Jg. 10 (2013), Heft 2, S. 67-72
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Insights on Design and Scalability of Thin-BOX FD/SOI CMOS
    CHOUKSEY, Siddharth ; FOSSUM, Jerry G ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 9, S. 2073-2079
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of SOS-CMOS FETs at Low Temperatures for the Design of Integrated Circuits for Quantum Bit Control and Readout
    RAMESH EKANAYAKE, S ; LEHMANN, Torsten ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 2, S. 539-547
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Innovative Materials, Devices, and CMOS Technologies for Low-Power Mobile Multimedia : Device technologies and circuit techniques for power management
    SKOTNICKI, Thomas ; FENOUILLET-BERANGER, Claire ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 1, S. 96-130
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A High-Speed Low-Power Multi-VDD CMOS/SIMOX SRAM With LV-TTL Level Input/Output Pins-Write/Read Assist Techniques for 1-V Operated Memory Cells
    SHIBATA, Nobutaro ; WATANABE, Mayumi ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 45 (2010), Heft 9, S. 1856-1869
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Low-voltage scaling limitations for nano-scale CMOS LSIs
    ITOH, Kiyoo ; HORIGUCHI, Masashi
    In: Special Issue with Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference, Ulis 2008, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 402-410
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electrical integrity of state-of-the-art 0.13 μm SOI CMOS devices and circuits transferred for three-dimensional (3D) integrated circuit (IC) fabrication
    GUARINI, K. W ; TOPOL, A. W ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 943-945
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    150-GHz RF SOI-CMOS Technology in Ultrathin Regime on Organic Substrate
    DES ETANGS-LEVALLOIS, Aurélien Lecavelier ; DUBOIS, Emmanuel ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1510-1512
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Stacked 3-D Fin-CMOS technology
    XUSHENG, WU ; CHAN, Philip C. H ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 6, S. 416-418
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A stacked CMOS technology on SOI substrate
    SHENGDONG, ZHANG ; RUQI, HAN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 25 (2004), Heft 9, S. 661-663
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A floating-body cell fully compatible with 90-nm CMOS technology node for a 128-mb SOI DRAM and its scalability
    HAMAMOTO, Takeshi ; MINAMI, Yoshihiro ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 3, S. 563-571
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A three-dimensional stacked Fin-CMOS technology for high-density ULSI circuits
    XUSHENG, WU ; CHAN, Philip C. H ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 9, S. 1998-2003
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    On the Variability in Planar FDSOI Technology: From MOSFETs to SRAM Cells : CHARACTERIZATION OF NANO CMOS VARIABIALITY BY SIMULATION AND MEASUREMENTS
    MAZURIER, Jérôme ; WEBER, Olivier ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 8, S. 2326-2336
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Separation by bonding SI islands (SBSI) for advanced CMOS LSI applications : Fundamental and application of advanced semiconductor devices
    YAMAZAKI, Takashi ; OHMI, Shun-Ichiro ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 88 (2005), Heft 4, S. 656-661
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Impact of technology parameters on inverter delay of UTB-SOI CMOS
    SCHULZ, Thomas ; PACHA, Christian ; et al.
    In: 2002 IEEE international SOI conference (Williamsburg VA, 7-10 October 2002), 2002, S. 176-178
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    On the great potential of non-doped MOSFETs for analog applications in partially-depleted SOI CMOS process
    KILCHYTSKA, V ; LEVACQ, D ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 5, S. 708-715
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    60 GHz VCO with wideband tuning range fabricated on VLSI SOI CMOS technology
    ELLINGER, Frank ; MORF, Thomas ; et al.
    In: 2004 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (June 6-11, 2004
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    90nm SOI-CMOS of 150GHz fmax and 0.8db NFmin @6GHz for SOC
    VANMACKELBERG, M ; BORET, S ; et al.
    In: 2002 IEEE international SOI conference (Williamsburg VA, 7-10 October 2002), 2002, S. 153-154
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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