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    Mechanism and modelling of source/drain asymmetry variation in 65 nm CMOS devices for SRAM and logic applications
    Lee, Tung-Hsing ; Chiang, Yen-Ting ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 41 (2008-01-28), S. 045101-45101
    Online unknown
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    A physics-based compact model of ferroelectric tunnel junction for memory and logic design
    Zhang, Yue ; Wang, Zhaohao ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 47 (2013-12-20), S. 045001-45001
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    SPICE modelling of magnetic tunnel junctions written by spin-transfer torque
    Baraduc, C. ; N. de Mestier ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 43 (2010-05-13), S. 215001-215001
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -