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    Patent Issued for CMOS FinFET structures including work-function materials having different proportions of crystalline orientations and methods of forming the same (USPTO 11961768)
    In: Technology Business Journal, 2024-05-07, S. 1957
    Zeitungsartikel
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    'Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (Cmos) Apparatus With Self-Aligned Backside Contact' in Patent Application Approval Process (USPTO 20240096978)
    In: Journal of Technology, 2024-04-09, S. 736
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for CMOS image sensor having indented photodiode structure (USPTO 11843007)
    In: Technology Business Journal, 2024-01-02, S. 1783
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Dipole patterning for CMOS devices (USPTO 11791218)
    In: Technology Business Journal, 2023-11-07, S. 2492
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Bump bonding structure to mitigate space contamination for III-V dies and CMOS dies (USPTO 11784460)
    In: Technology Business Journal, 2023-10-31, S. 1918
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Seal method to integrate non-volatile memory (NVM) into logic or bipolar CMOS DMOS (BCD) technology (USPTO 11711917)
    In: Technology Business Journal, 2023-08-15, S. 2996
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for CMOS finFET structures including work-function materials having different proportions of crystalline orientations and methods of forming the same (USPTO 11682589)
    In: Technology Business Journal, 2023-07-11, S. 2028
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for High voltage CMOS with co-planar upper gate surfaces for embedded non-volatile memory (USPTO 11672124)
    In: Technology Business Journal, 2023-06-27, S. 2452
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for CMOS top source/drain region doping and epitaxial growth for a vertical field effect transistor (USPTO 11615990)
    In: Technology Business Journal, 2023-04-18, S. 2141
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Multiple deep trench isolation (MDTI) structure for CMOS image sensor (USPTO 11495630)
    In: Technology Business Journal, 2022-11-29, S. 2886
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for CMOS compatible BioFET (USPTO 11486854)
    In: Technology Business Journal, 2022-11-22, S. 1677
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Isolation structure for suppression floating diffusion junction leakage in CMOS image sensor (USPTO 11444108)
    In: Technology Business Journal, 2022-10-04, S. 2823
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Metal gate structure of a CMOS semiconductor device and method of forming the same (USPTO 11393726)
    In: Technology Business Journal, 2022-08-09, S. 2888
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer (USPTO 11342266)
    In: Technology Business Journal, 2022-06-14, S. 2816
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Strained nanowire CMOS device and method of forming (USPTO 11309385)
    In: Technology Business Journal, 2022-05-10, S. 3856
    Zeitungsartikel
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    Researchers Submit Patent Application, 'Treating A Silicon On Insulator Wafer In Preparation For Manufacturing An Atomistic Electronic Device Interfaced With A Cmos Electronic Device', for Approval (USPTO 20220102197)
    In: Journal of Technology, 2022-04-19, S. 9178
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Method for manufacturing a MEMS device by first hybrid bonding a CMOS wafer to a MEMS wafer (USPTO 11279615)
    In: Technology Business Journal, 2022-04-12, S. 3273
    Zeitungsartikel
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    A highly attenuative CMOS LNA at 5-6 GHz using negative GM circuit for UWB applications
    In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 55 (2013-04-01), Heft 4, S. 894-899
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    New Microwave Research Findings from Institute of Communications Engineering Outlined (A 0.6-db Low Loss and 3-165 Ghz Wideband Phase Difference Sub-thz Coupler In 0.18-mu M Cmos)
    In: Journal of Technology, 2022-03-29, S. 1644
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for CMOS-MEMS integration with through-chip via process (USPTO 11235969)
    In: Technology Business Journal, 2022-02-22, S. 1921
    Zeitungsartikel
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