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    HDP-CVD: trying to lasso lightning.
    Korczynski, Ed
    In: Solid State Technology, Jg. 39 (1996-04-01), S. 63
    Online serialPeriodical
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    Copper interconnect advances to meet Moore's Law milestones.
    Bhatnagar, Ajay ; Naik, Mehul ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 52 (2009-10-01), Heft 10, S. 16-19
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Alternatives to low-k nanoporous materials: dielectric air-gap integration.
    Hoofman, Romano ; Daamen, Roel ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 49 (2006-08-01), Heft 8, S. 55-57
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Combining seed layers enables the use of HAR copper interconnects.
    Cohen, Uri
    In: Solid State Technology, Jg. 49 (2006-07-01), Heft 7, S. 53-58
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Processing and integration of copper interconnects.
    Jackson, Robert L. ; Broadbent, Eliot ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 41 (1998-03-01), Heft 3, S. 49
    Online serialPeriodical
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Applied Materials introduces the biggest materials change to interconnect technology in 15 years.
    In: Solid State Technology, Jg. 57 (2014-06-01), Heft 4, S. 4-5
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Late-porogen removal integration for ultra-low-keff IMDs.
    Pfeifer, Klaus H. ; Engbrecht, Edward R. ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 49 (2006-06-01), Heft 6, S. 59-61
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Integrating a nonporous low-k (k = 2.2) film.
    Lee, Chung ; Kumar, Atul
    In: Solid State Technology, Jg. 47 (2004-07-01), Heft 7, S. 69-71
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Fujitsu reports progress toward CNT interconnects for 32nm.
    In: Solid State Technology, Jg. 49 (2006-12-01), Heft 12, S. 22-23
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Chemical vapor deposition of refractory metal silicides for VLSI metallization.
    Bernard, C. ; Madar, R. ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 32 (1989-02-01), S. 79-84
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Interconnect materials for VLSI circuits.
    Pauleau, Y.
    In: Solid State Technology, Jg. 30 (1987-02-01), S. 61-67
    serialPeriodical
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    Looking forward to 65nm: Nonporous low-k dielectrics.
    Kumar, Devendra
    In: Solid State Technology, Jg. 47 (2004-03-01), Heft 3, S. 26-26
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Simplified interconnect processing for cost-sensitive chips.
    Asahina, Michio
    In: Solid State Technology, Jg. 42 (1999-07-01), Heft 7, S. 99
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Low-k dielectric costs for dual-damascene integration.
    Korczynski, Ed
    In: Solid State Technology, Jg. 42 (1999-05-01), Heft 5, S. 43
    Online serialPeriodical
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    Copper interconnect process module.
    In: Solid State Technology, Jg. 42 (1999), Heft 1, S. 18-18
    Online serialPeriodical
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    Interconnect options grow.
    In: Solid State Technology, Jg. 41 (1998), Heft 9, S. 38-38
    Online serialPeriodical
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    Interconnect metallization for future device generations.
    Roberts, Bruce ; Harrus, Alain ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 38 (1995-02-01), S. 69
    Online serialPeriodical
    Siehe Detailanzeige für Volltext
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    {VLSI Multilever Interconnect Conference, 8th, Santa Clara, CA, June 11-12, 1991}.
    In: Solid State Technology, Jg. 34 (1991-08-01), S. 47-48
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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