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    Nonstable Latchups in CMOS ICs Under Pulsed Laser Irradiation.
    Shvetsov-Shilovskiy, Ivan I. ; Chumakov, Alexander I. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1540-1546
    Online academicJournal
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    High-Voltage CMOS Active Pixel Sensor Chip With Counting Electronics for Beam Monitoring.
    Weber, Alena ; Ehrler, Felix ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 1288-1298
    Online academicJournal
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    Design and Verification of a 6.25 GHz LC -Tank VCO Integrated in 65 nm CMOS Technology Operating up to 1 Grad TID.
    Monda, Danilo ; Ciarpi, Gabriele ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 2524-2532
    Online academicJournal
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    A Body-Biasing Technique for Single-Event Transient Mitigation in 28-nm Bulk CMOS Process.
    Liu, Jingtian ; Liang, Bin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 2717-2723
    Online academicJournal
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    Compact Modeling of Single-Event Latchup of Integrated CMOS Circuit.
    Al Youssef, A. ; Artola, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1510-1515
    Online academicJournal
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    Power-Aware SE Analysis of Different FF Designs at the 14-/16-nm Bulk FinFET CMOS Technology Node.
    Jiang, H. ; Zhang, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1866-1871
    Online academicJournal
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    Temperature-Compensated MOS Dosimeter Fully Integrated in a High-Voltage 0.35 μm CMOS Process.
    Carbonetto, Sebastian ; Echarri, Martin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 1118-1124
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Circuit-Level Layout-Aware Modeling of Single-Event Effects in 65-nm CMOS ICs.
    Balbekov, Anton O. ; Gorbunov, Maxim S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1914-1919
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A CMOS Triple Inter-Locked Latch for SEU Insensitivity Design.
    Li, Tianwen ; Yang, Haigang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3265-3273
    Online academicJournal
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    Irradiation and Temperature Effects for a 32 nm RF Silicon-on-Insulator CMOS Process.
    Haeffner, T. D. ; Loveless, T. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3037-3042
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    SET and SEU Analyses Based on Experiments and Multi-Physics Modeling Applied to the ATMEL CMOS Library in 180 and 90-nm Technological Nodes.
    Hubert, G. ; Truyen, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3178-3186
    Online academicJournal
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    A Compact, Low Jitter, CMOS 65 nm 4.8–6 GHz Phase-Locked Loop for Applications in HEP Experiments Front-End Electronics.
    Mazza, Giovanni ; Panati, Serena
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-05-01), Heft 5, S. 1212-1217
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Characterization of the Photon Counting CHASE Jr., Chip Built in a 40-nm CMOS Process With a Charge Sharing Correction Algorithm Using a Collimated X-Ray Beam.
    Krzyzanowska, A. ; Deptuch, G. W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 2561-2568
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    Proton Tolerance of Multiple-Threshold Voltage and Multiple-Breakdown Voltage CMOS Device Design Points in a 0.18 /&um;m System-on-a-Chip CMOS Technology.
    Li, Ying ; Cressler, John D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 50 (2003-12-01), Heft 6, S. 1834-1838
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Radiation-Induced Dose and Single Event Effects in Digital CMOS Image Sensors.
    Virmontois, Cedric ; Toulemont, Arthur ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3331-3340
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    Charge Signal Processors in a 130 nm CMOS Technology for the Sparse Readout of Small Pitch Monolithic and Hybrid Pixel Sensors.
    Traversi, Gianluca
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-10-15), Heft 5, S. 2391-2400
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    Experimental and Theoretical Evaluation of a High Resolution CMOS Based Detector Under X-Ray Imaging Conditions.
    Michail, Christos M. ; Spyropoulou, Vasiliki A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-02-15), Heft 1, S. 314-322
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    Mechanisms of Noise Degradation in Low Power 65 nm CMOS Transistors Exposed to Ionizing Radiation.
    Re, Valerio ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3071-3077
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    Single-Event Transient Pulse Propagation in Digital CMOS.
    Massengill, Lloyd W. ; Tuinenga, Paul W.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 2861-2871
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    Monolithic Pixel Sensors for Fast Silicon Vertex Trackers in a Quadruple Well CMOS Technology.
    Zucca, Stefano ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-06-20), Heft 3, S. 2343-2351
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