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    Electrically active stacking faults in CMOS integrated circuits.
    Dishman, J. M.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 50 (1979-04-01), S. 2689-2696
    Online academicJournal
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    Low-power, high-performance, and small-footprint, single-pump optical parametric amplifier for photonic integrated circuits.
    Kumar, Shatrughna ; Sen, Mrinal
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-09-28), Heft 12, S. 1-15
    Online academicJournal
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    Electrochemically controlled transport of lithium through ultrathin SiO2.
    Ariel, Nava ; Ceder, Gerbrand ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-07-15), Heft 2, S. 023516-23516
    Online academicJournal
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    Magnetic Random Access Memory based non-volatile asynchronous Muller cell for ultra-low power autonomous applications.
    Di Pendina, G. ; Zianbetov, E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-05-07), Heft 17, S. 17B517-1- (4S.)
    Online academicJournal
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    On-chip magnetic separation of superparamagnetic beads for integrated molecular analysis.
    Florescu, Octavian ; Wang, Kevan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-03-01), Heft 5, S. 54702-1- (10S.)
    Online academicJournal
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    Electrochemically controlled transport of lithium through ultrathin SiO<subscript>2</subscript>.
    Ariel, Nava ; Ceder, Gerbrand ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-07-15), Heft 2, S. 23516-23522
    Online academicJournal
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    Electrochemically controlled transport of lithium through ultrathin SiO<subscript>2</subscript>.
    Ariel, Nava ; Ceder, Gerbrand ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-07-15), Heft 2, S. 23516-23522
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Millimeter wave complementary metal-oxide-semiconductor on-chip hexagonal ferrite circulator.
    Chao, Liu ; Fu, Enjin ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 115 (2014-05-07), Heft 17, S. 17E511-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Fully integrated detection of single magnetic beads in complementary metal-oxide-semiconductor.
    Florescu, Octavian ; Mattmann, Moritz ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 103 (2008-02-15), Heft 4, S. 46101-46103
    Online academicJournal
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    All-magnetic magnetoresistive random access memory based on four terminal mCell device.
    Bromberg, D. M. ; Sumbul, H. E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-05-07), Heft 17, S. 17B510-1- (4S.)
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Negative bias temperature instability: Road to cross in deep submicron silicon semiconductor manufacturing.
    Schroder, Dieter K. ; Babcock, Jeff A.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 94 (2003-07-01), Heft 1, S. 1-18
    Online academicJournal
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    Dangling bonds with “negative Hubbard U”: Physical model for degradation of SiO2 gate dielectric under voltage stress.
    Gitlin, Daniel ; Karp, James ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-12-15), Heft 12, S. 7257-7260
    Online academicJournal
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    Evolution of quasi-breakdown in thin gate oxides.
    Loh, Wei Yip ; Cho, Byung Jin ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-04-15), Heft 8, S. 5302-5306
    Online academicJournal
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    Integrated on-chip inductors with electroplated magnetic yokes (invited).
    Wang, Naigang ; O'Sullivan, Eugene J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-04-01), Heft 7, S. 07E732
    Online academicJournal
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    Scalability of spin field programmable gate arrary: A reconfigurable architecture based on spin metal-oxide-semiconductor field effect transistor.
    Tanamoto, Tetsufumi ; Sugiyama, Hideyuki ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 109 (2011-04-01), Heft 7, S. 07C312
    Online academicJournal
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    Inversion layer formation in organic field-effect devices.
    Lindner, Th ; Paasch, G.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 102 (2007-09-01), Heft 5, S. 054514-54514
    Online academicJournal
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