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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    A comparative study of lifetime reliability of planar MOSFET and FinFET due to BTI for the 16 nm CMOS technology node based on reaction-diffusion model.
    Mounir Mahmoud, Mohamed ; Soin, Norhayati
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 97 (2019-06-01), S. 53-65
    academicJournal
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    Investigation on SCR-based ESD protection device for biomedical integrated circuits in a 0.18-μm CMOS process.
    Lin, Chun-Yu ; Chiu, Yan-Lian
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-11-01), Heft 11, S. 2229-2235
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Advanced failure detection techniques in deep submicron CMOS integrated circuits
    Mateo, Diego ; Altet, Josep ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 39 (1999-06-01), S. 909-918
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    SEU reduction effectiveness of common centroid layout in differential latch at 130-nm CMOS technology.
    Wang, Haibin ; Sheng, Ao ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 72 (2017-05-01), S. 39-44
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Heat dissipation assessment of through silicon via (TSV)-based 3D IC packaging for CMOS image sensing.
    Cheng, Hsien-Chie ; Huang, Tzu-Chin ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 59 (2016-04-01), S. 84-94
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact of on- and off-chip protection on the transient-induced latch-up sensitivity of CMOS IC.
    Scholz, Mirko ; Chen, Shih-Hung ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 57 (2016-02-01), S. 53-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Reliability assessment of CMOS differential cross-coupled LC oscillators and a novel on chip self-healing approach against aging phenomena.
    Afacan, Engin ; Dundar, Gunhan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 54 (2014-02-01), Heft 2, S. 397-403
    academicJournal
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    The total ionizing dose response of a DSOI 4Kb SRAM.
    Li, B. ; Wu, J. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 76 (2017-09-01), S. 714-718
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Micropower fully integrated CMOS readout interface for neural recording application
    Li, Hongge ; Zhao, Wei ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-02-01), Heft 2, S. 273-281
    academicJournal
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    Active ESD protection circuit design against charged-device-model ESD event in CMOS integrated circuits
    Chen, Shih-Hung ; Ker, Ming-Dou
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007-09-01), Heft 9-11, S. 1502-1505
    academicJournal
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    Overview on ESD protection design for mixed-voltage I/O interfaces with high-voltage-tolerant power-rail ESD clamp circuits in low-voltage thin-oxide CMOS technology
    Ker, Ming-Dou ; Chang, Wei-Jen
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007), Heft 1, S. 27-35
    academicJournal
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    Integrated CMOS GSM baseband channel selecting filters realized using switched capacitor finite impulse response technique
    Dąbrowski, A. ; Długosz, R. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006-05-01), Heft 5/6, S. 949-958
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electrostatic discharge protection scheme without leakage current path for CMOS IC operating in power-down-mode condition on a system board
    Lin, Kun-Hsien ; Ker, Ming-Dou
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006-02-01), Heft 2-4, S. 301-310
    academicJournal
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    ESD protection design for CMOS RF integrated circuits using polysilicon diodes
    Ker, Ming-Dou ; Chang, Chyh-Yih
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 42 (2002-06-01), Heft 6, S. 863-872
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Investigation on CDM ESD events at core circuits in a 65-nm CMOS process
    Lin, Chun-Yu ; Chang, Tang-Long ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 52 (2012-11-01), Heft 11, S. 2627-2631
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The impact of device width on the variability of post-irradiation leakage currents in 90 and 65nm CMOS technologies
    Rezzak, Nadia ; Maillard, Pierre ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 52 (2012-11-01), Heft 11, S. 2521-2526
    academicJournal
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    A 0.18μm CMOS linear-in-dB AGC post-amplifier for optical communications
    Aznar, Francisco ; Celma, Santiago ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 51 (2011-05-01), Heft 5, S. 959-964
    academicJournal
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    Inventory of silicon signatures induced by CDM event on deep sub-micronic CMOS–BICMOS technologies
    Galy, Ph. ; Dudit, S. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-09-01), Heft 9-11, S. 1388-1392
    academicJournal
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    Simulation of ESD protection devices in an advanced CMOS technology using a TCAD workbench based on an ESD calibration methodology
    Cilento, T. ; Schenkel, M. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-09-01), Heft 9-11, S. 1367-1372
    academicJournal
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