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    Single chip integration of MWCNTs/SiO2 thin film humidity sensor based on standard CMOS IC process
    TUO, LI ; XIAOWEI, LIU ; et al.
    In: Micro/Nano Devices and Systems 2013: An open thematic journal issue, Jg. 119 (2014), S. 155-158
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Post-processing and performance analysis of BEOL integrated MEMS pressure sensor capacitors in 8-metal 130 nm CMOS
    ANANIAH DURAI, SUNDARARAJAN ; REZAUL HASAN, S. M
    In: Micro/Nano Devices and Systems 2013: An open thematic journal issue, Jg. 119 (2014), S. 89-94
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Monolithic z-axis CMOS MEMS accelerometer
    TSENG, Sheng-Hsiang ; WU, Po-Chang ; et al.
    In: Micro/Nano Devices and Systems 2013: An open thematic journal issue, Jg. 119 (2014), S. 178-182
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CMOS-MEMS switches based on back-end metal layers
    MUNOZ-GAMARRA, J. L ; VIDAL-ALVAREZ, G ; et al.
    In: Micro/Nano Devices and Systems 2013: An open thematic journal issue, Jg. 119 (2014), S. 127-130
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An integrated electroless nickel plating process for fabrication of CMOS-MEMS probe chip
    LEE, Kuo-Yu ; HUANG, Jung-Tang ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 113 (2013), S. 147-151
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Resistive humidity microsensor with circuit manufactured by the CMOS process
    YANG, Ming-Zhi ; DAI, Ching-Liang ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 105 (2013), S. 81-85
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Multi-dimensional data registration CMOS/MEMS integrated inkjet printhead
    LIOU, Jian-Chiun ; TSENG, Fan-Gang
    In: Microelectronic engineering, Jg. 88 (2011), Heft 6, S. 888-901
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Gate dielectric degradation in CMOS inverters
    MARTIN-MARTINEZ, J ; GERARDIN, S ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 86 (2009), Heft 10, S. 2123-2126
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact of nitrogen post deposition annealing on hafnium zirconate dielectrics for 32 nm high- performance SOI CMOS technologies
    KELWING, T ; NAUMANN, A ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 88 (2011), Heft 2, S. 141-144
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Three-solenoid windings transformer baluns on CMOS-grade silicon substrate
    ZHENGZHENG, WU ; XIN, WANG ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 87 (2010), Heft 2, S. 150-158
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CMOS optoelectronic components for clock distribution
    POWNALL, Robert ; THANGARAJ, Charles ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 87 (2010), Heft 10, S. 1838-1845
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A direct-write microfluidic fabrication process for CMOS-based Lab-on-Chip applications
    GHAFAR-ZADEH, Ebrahim ; SAWAN, Mohamad ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 86 (2009), Heft 10, S. 2104-2109
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High mobility CMOS transistors on Si/SiGe heterostructure channels
    OH, Jungwoo ; JEON, Kanghoon ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 97 (2012), S. 26-28
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Fully CMOS-compatible top-down fabrication of sub-50 nm silicon nanowire sensing devices
    GEORGIEV, Yordan M ; PETKOV, Nikolay ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 118 (2014), S. 47-53
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 2D MEMS grating based CMOS compatible poly-SiGe variable optical attenuator
    RUDRA, S ; VAN HOOF, R ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 105 (2013), S. 8-12
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High resolution nanotopography characterization at die scale of 28 nm FDSOI CMOS front-end CMP processes
    DETTONI, F ; RIVOIRE, M ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 113 (2013), S. 105-108
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A comparison study of CMOS T/R switches using gate/source-terminated field-plate transistors
    WEI, Chien-Cheng ; CHIU, Hsien-Chin ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 87 (2010), Heft 2, S. 225-229
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Ta/TiN midgap full-metal single gate fabrication using combined chlorine-based plasma and highly selective chemical metal etching for decananometer CMOS technology
    ZHENKUN, CHEN ; DUBOIS, Emmanuel ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 97 (2012), S. 280-284
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Fabrication of a glucose sensor with oscillator circuit using CMOS-MEMS technique
    YANG, Ming-Zhi ; DAI, Ching-Liang ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 97 (2012), S. 353-356
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A comprehensive study of various etch processes for the removal of silicide-block-film in submicron CMOS technologies
    RUI, LI ; JUN, WANG ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 88 (2011), Heft 11, S. 3270-3274
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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