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    Intégration 3D des transistors à nanofils de silicium-germanium sur puces CMOS
    Merhej, Mouawad
    2018
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    Circuits d'instrumentation intégrés pour caractérisation de diodes monophotoniques à avalanche en technologie CMOS haute tension 0,8 μm
    Rhéaume, Vincent-Philippe
    2015
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Contribution au développement d'une technologie d'intégration tridimensionnelle pour les capteurs d'images CMOS à pixels actifs
    Coudrain, Perceval ; Institut Supérieur de l'Aéronautique et de l'Espace ; et al.
    2009
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Réalisation d'un convertisseur temps-numérique en CMOS 65 nm pour une intégration par pixel dans un module de comptage monophotonique
    Roy, Nicolas
    2015
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Impact des technologies d'intégration 3D sur les performances des composants CMOS
    Rousseau, Maxime ; Laboratoire des Technologies de Packaging et d'Intégration composants (LTPI) ; et al.
    2009
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Impact des TSVs (Through Silicon Vias) sur les circuits CMOS nanom´etriques – Etude et conception d’un détecteur ´ verticalement int´egr´e de rayon X.
    Benkechkache, Mohamed El Amine ; Latreche, Saida ; et al.
    2018
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Impact of 3D integration technologies on electrical performances of CMOS devices. ; Impact des technologies d'intégration 3D sur les performances des composants CMOS.
    Rousseau, Maxime ; Laboratoire des Technologies de Packaging et d'Intégration composants (LTPI) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-00441653 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2009. Français. ⟨NNT : ⟩, 2009
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Intégration 3D des transistors à nanofils de silicium-germanium sur puces CMOS ; 3D integration transistor silicon-germanium nanowires on CMOS chips
    Merhej, Mouawad ; Université Grenoble Alpes (ComUE) ; et al.
    2018
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Intégration 3D : vers des capteurs d'image innovants à haute performance
    Brochard , Nicolas ; Laboratoire d'Electronique, d'Informatique et d'Image UMR CNRS 6306 ( Le2i ) ; et al.
    2017
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    3D Integration : towards high-performance innovative imaging sensors
    Brochard, Nicolas ; STAR, ABES
    2017
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Intégration 3D : vers des capteurs d'image innovants à haute performance
    Brochard, Nicolas
    2017
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    3D Integration : towards high-performance innovative imaging sensors ; Intégration 3D : vers des capteurs d'image innovants à haute performance
    Brochard, Nicolas ; Laboratoire d'Electronique, d'Informatique et d'Image EA 7508 (Le2i) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01789105 ; Traitement du signal et de l'image [eess.SP]. Université Bourgogne Franche-Comté, 2017. Français. ⟨NNT : 2017UBFCK020⟩, 2017
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Intégration 3D : vers des capteurs d'image innovants à haute performance ; 3D Integration : towards high-performance innovative imaging sensors
    Brochard, Nicolas ; Franche-Comté, Bourgogne ; et al.
    2017
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Etude physique et technologique d'architectures de transistors MOS à nanofils
    Tachi, Kiichi ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; et al.
    2011
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Technological and physical study of etched nanowire transistors architectures
    Tachi, Kiichi ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; et al.
    2011
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Technological and physical study of etched nanowire transistors architectures ; Etude physique et technologique d'architectures de transistors MOS à nanofils
    Tachi, Kiichi ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-00721968 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Grenoble, 2011. Français. ⟨NNT : 2011GRENT084⟩, 2011
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Etude physique et technologique d'architectures de transistors MOS à nanofils ; Technological and physical study of etched nanowire transistors architectures
    Tachi, Kiichi ; Grenoble ; et al.
    2011
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Conception de circuits de lecture adaptés à des dispositifs monoélectroniques
    Bourque, Frédéric
    2014
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Conception et fabrication de sélecteurs non-linéaires à base d'effet tunnel
    Plourde, Maxime ; STAR, ABES
    2022
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Design and fabrication of tunnel effect-based non-linear selectors ; Conception et fabrication de sélecteurs non-linéaires à base d'effet tunnel
    Plourde, Maxime ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03938223 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2022. Français. ⟨NNT : 2022LYSEI029⟩, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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