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    28-nm 2T High-K Metal Gate Embedded RRAM With Fully Compatible CMOS Logic Processes
    CHIN YU, MEI ; WEN CHAO, SHEN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 10, S. 1253-1255
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for ESD Protection Circuit Assembly For CMOS Manufacturing Process (USPTO 10,573,638).
    In: Technology News Focus, 2020-03-11, S. 3862
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Application Titled 'Esd Protection Circuit Assembly For Cmos Manufacturing Process' Published Online (USPTO 20190206858).
    In: Technology News Focus, 2019-07-24, S. 2540
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Resolution-Enhancing CMOS All-Digital Pulse-Mixing Method And Device (USPTO 10,141,919).
    In: Education Letter, 2018-12-12
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for CMOS Devices with Schottky Source and Drain Regions (USPTO 9673105).
    In: China Weekly News, 2017-06-20, S. 804
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Method for Manufacturing Germanium-Based CMOS Comprising Forming Silicon Cap over PMOS Region Having a Thickness Less than That over NMOS Region (USPTO 9666487).
    In: China Weekly News, 2017-06-13, S. 1121
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Cascode CMOS Structure (USPTO 9607121).
    In: China Weekly News, 2017-04-11, S. 1406
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Relaxed Silicon Germanium Platform for High Speed CMOS Electronics and High Speed Analog Circuits (USPTO 9515196).
    In: China Weekly News, 2016-12-20, S. 1435
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Method for Forming Structure for Reducing Noise in CMOS Image Sensors (USPTO 9263486).
    In: China Weekly News, 2016-03-01, S. 1566
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for CMOS Devices Having Dual High-Mobility Channels (USPTO 9257506).
    In: China Weekly News, 2016-02-23, S. 1094
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Method of Fabricating CMOS Inverter and Integrated Circuits Utilizing Strained Silicon Surface Channel MOSFETS (USPTO 9219065).
    In: China Weekly News, 2016-01-05, S. 956
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Systems and Methods for Integrating Different Channel Materials into a CMOS Circuit by Using a Semiconductor Structure Having Multiple Transistor Layers (USPTO 9209201).
    In: China Weekly News, 2015-12-22, S. 1658
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Techniques Providing High-K Dielectric Metal Gate CMOS (USPTO 9099346).
    In: China Weekly News, 2015-08-18, S. 1410
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for CMOS Sensor with Low Partition Noise and Low Disturbance between Adjacent Row Control Signals in a Pixel Array.
    In: China Weekly News, 2015-06-30, S. 979
    Zeitungsartikel
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    'Backside Illumination (Bsi) Cmos Image Sensor Process' in Patent Application Approval Process.
    In: Politics & Government Week, 2014-05-22
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    UMC readies 65-nm RF CMOS process.
    Walko, John
    In: Electronic Engineering Times (01921541), 2007-10-15, Heft 1497, S. 16-16
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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