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    TDDB degradation analysis using Ea of leakage current for reliable porous CVD SiOC(k=2.45)/Cu interconnects
    YOSHIE, T ; YONEDA, K ; et al.
    In: IEEE 2004 international interconnect technology conference (Proccedings), 2004, S. 30-32
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reliability robustness of 65nm BEOL Cu damascene interconnects using porous CVD low-k dielectrics with k = 2.2
    LIN, K. C ; LU, Y. C ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 66-67
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low k damage control & its reliability for organic hybrid dual damascene
    SU, Y. N ; SHIEH, J. H ; et al.
    In: Proceedings of the 11th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA 2004), 2004, S. 69-70
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integration of ALD TaN barriers in porous low-k interconnect for the 45 nm node and beyond; solution to relax electron cattering effect
    BESLING, W. F. A ; ARNAL, V ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 325-328
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A robust, deep-submicron copper interconnect structure using self-aligned metal capping method
    SAITO, T ; ASHIHARA, H ; et al.
    In: IEEE 2004 international interconnect technology conference (Proccedings), 2004, S. 36-38
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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