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293 Treffer

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    CK Birla Group Appoints IBM's Deepali Naair As Their Group CMO.
    In: Business World, 2023-03-20
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    AppDirect Hires First CMO to Drive Growth and Brand Awareness.
    In: Plus Company Updates, 2021-05-28
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    AppDirect Hires First CMO to Drive Growth and Brand Awareness.
    In: Legal Monitor Worldwide, 2021-05-28
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Application Titled "CMOS-Compatible High-Speed And Low-Power Random Number Generator" Published Online (USPTO 20200364032).
    In: Technology Business Journal, 2020-12-08, S. 1705
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Confined Source Drain Epitaxy To Reduce Shorts In CMOS Integrated Circuits (USPTO 10,833,198).
    In: Technology Business Journal, 2020-11-24, S. 3336
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Nanosheet Devices With Epitaxial Source/Drains And Replacement Metal Gate Structures (USPTO 10,833,168).
    In: Technology Business Journal, 2020-11-24, S. 3284
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Application Titled "Vertical Stacked Nanosheet Cmos Transistors With Different Work Function Metals" Published Online (USPTO 20200294866).
    In: Technology Business Journal, 2020-10-06, S. 3392
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    "Confined Source Drain Epitaxy To Reduce Shorts In Cmos Integrated Circuits" in Patent Application Approval Process (USPTO 20200295200).
    In: Technology Business Journal, 2020-10-06, S. 1099
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    "Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (Cmos) Nanosheet Devices With Epitaxial Source/Drains And Replacement Metal Gate Structures" in Patent Application Approval Process (USPTO 20200287020).
    In: Technology Business Journal, 2020-09-29, S. 942
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Patent Issued for Dielectric Isolation And SiGe Channel Formation For Integration In CMOS Nanosheet Channel Devices (USPTO 10,741,641).
    In: Technology Business Journal, 2020-08-25, S. 4086
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Patent Issued for Boundary Protection For CMOS Multi-Threshold Voltage Devices (USPTO 10,741,454).
    In: Technology Business Journal, 2020-08-25, S. 3626
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Patent Application Titled "Qubit-Optical-CMOS Integration Using Structured Substrates" Published Online (USPTO 20200243601).
    In: Technology Business Journal, 2020-08-18, S. 3593
    Zeitungsartikel
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    "Finfet Cmos With Asymmetric Gate Threshold Voltage" in Patent Application Approval Process (USPTO 20200235209).
    In: Technology Business Journal, 2020-08-11, S. 1333
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    IBM Seeks Patent for Channel Orientation of CMOS Gate-All-Around Field-Effect Transistor Devices for Enhanced Carrier Mobility.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2020-12-10
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    IBM Seeks Patent for Cmos-Compatible High-Speed and Low-Power Random Number Generator.
    In: Global IP News: Electrical Patent News, 2020-11-19
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    U.S. Patent and Trademark Office Awards Patent for Single-Fin CMOS Transistors with Embedded and Cladded Source/Drain Structures.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2020-11-10
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    IBM Awarded Patent for Confined Source Drain Epitaxy to Reduce Shorts in CMOS Integrated Circuits.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2020-11-10
    Zeitungsartikel
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    IBM Gets Patent for Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Nanosheet Devices with Epitaxial Source/Drains and Replacement Metal Gate Structures.
    In: Global IP News: Nanotech Patent News, 2020-11-10
    Zeitungsartikel
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    U.S. Patent and Trademark Office Awards Patent for Source and Drain Isolation for CMOS Nanosheet with One Block Mask.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2020-10-13
    Zeitungsartikel
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Patent Issued for Artificial Synapse With Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Layer In CMOS Front-End (USPTO 10,686,040).
    In: Technology Business Journal, 2020-06-30, S. 3805
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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